日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件 --- Si7145DP,将10V、4.5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。凭借这些性能规格,新的Vishay Siliconix Si7145DP--第三代TrenchFET P沟道家族的最新成员--实现了在
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封装: SOP-8 批号: 20+ 数量: 2500 制造商: Vishay Siliconix 系列: * FET 类型: 2个 P 沟道(双) FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 53 毫欧 @ 4.9A,10V 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µ...
封装: SOP8 批号: 21+ 数量: 28000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 3.8 A Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms Vgs...
封装: SOP8 批号: 1945+ 数量: 12600 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel, P-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V, 20 V Id-连续漏极电流: 9.3 A Rds On-漏源...
批量生产 储存到myST P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、5 A STripFET H6功率MOSFET,SO-8封装 Order Direct 产品概述 描述 This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all pac...
Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,将封装占位面积减少了50%以上。 新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择,导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 AO4405E、 AOS、 SO-8 商品图片 商品参数 品牌: AOS 封装: SO-8 批号: 23+ 数量: 30000 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型: P 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta) 不同Id 时...
摘要:Nexperia推出了业界首款采用坚固,节省空间的LFPAK56(Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列。新器件符合AEC-Q101的汽车应用要求,是DPAK MOSFET的理想替代品,在保持高性能水平的同时,占地面积减少了50%以上。新产品提供30 V – 60 V的电压,RDS(on)低至10mΩ(30 V) ...