自20 世纪 80 年代中期以来,MOSFET 一直是大多数开关模式电源 (SMPS) 中的首选晶体管技术。MOSFET 用作主开关晶体管,并在用作门控整流器时提高效率。本博客比较了P 沟道和N 沟道 增强模式 MOSFET,以帮助您选择最适合您的电源应用的开关。 一、MOSFET的构造 MOSFET的结构与 FET 类似。在连接栅极端子的基板上沉积...
从结构上看，P沟道耗尽MOSFET与N沟道耗尽MOSFET互为镜像。在此类器件中，预制的沟道由夹在重掺杂P型源区和漏区之间的P型杂质区域构成。当我们在栅极施加正电压时，静电吸引力会促使P型区的自由电子向栅极移动，进而在沟道中形成耗尽区域，导致沟道电导率下降。通过调节栅极的正电压，我们可以精确控制漏极电流的流动。
从前面的分析可知，当功率MOSFET的S极与输入电源的地相连时，N沟道MOSFET可直接驱动。而若S极接的是输入电源的正端，则应选P沟道MOSFET以实现直接驱动。在桥式电路中，上下桥臂的选择也有所不同。上管若采用P沟道MOSFET，其驱动电路设计将更为简洁。但若选用N沟道MOSFET，则需采用浮驱或自举电路，这会增加驱动电...
P型MOSFET也是一种金属氧化物半导体场效应晶体管,但其沟道主要由空穴导电。与N型MOSFET相反,当栅极电压低于源极或漏极电压时,沟道会形成并允许电流从源极流向漏极。P型MOSFET通常用于放大器、开关和数字逻辑电路等应用中。 P型MOSFET的优点包括: 1. 低功耗:P型MOSFET的...
图1:N沟道(左)、P沟道MOSFET结构 P沟道的工作原理和N沟道类似,从上面导通过程可以看到:功率MOSFET是单极性器,N沟道的功率MOSFET只有电子导电,P沟道的功率MOSFET只有空穴导电。 硅半导体中,由于热能的存在,电子和空穴,统称为载流子,在晶格中不停的运动,与晶格的其它原子发生碰撞,使它们的运动发生偏转、减速或加速。电...
P沟道与N沟道MOSFET的主要区别 导通电压极性：P沟道MOSFET在负栅极电压下导通，而N沟道MOSFET在正栅极电压下导通。 电流载流子：P沟道MOSFET使用空穴作为电流载流子，而N沟道MOSFET使用电子。 开关速度：通常，N沟道MOSFET的开关速度比P沟道MOSFET快，因为电子的迁移率比空穴高。 应用偏好：N沟道MOSFET在许多应用...
它们的反向掺杂分布是主要区别:p 通道 MOSFET 依靠空穴作为多数电荷载流子,产生空穴电流,而 n 通道器件利用电子,产生电子电流。由于电子的迁移率较高,约为空穴的两到三倍,因此在 p 通道器件中移动空穴比在 n 通道器件中移动电子更具挑战性。
MOSFET是一种利用场效应的晶体管。MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管,它有一个栅极。为了简单起见,你可以把这个门想象成一个水龙头你逆时针旋转水龙头水开始流出水龙头,你顺时针旋转它水停止流出水龙头。同样,栅极电压决定器件的导电性。根据这个栅极电压,我们可
五、为什么更喜欢N沟道MOSFET而不是P沟道MOSFET? 六、MOSFET的优点 七、MOSFET的缺点 八、MOSFET的应用 介绍 从20世纪80年代中期开始,MOSFET已成为大多数开关电源(SMP)中首选的晶体管技术。mosfet被用作初级开关晶体管,当用作选通整流器时,也可以提高效率。这个博客比较P通道和N通道增强模式MOSFET,帮助您选择适合您...
N沟道MOSFET:由于电子的迁移率通常高于空穴,因此N沟道MOSFET具有较高的开关速度和较低的导通电阻。这使得N沟道MOSFET在需要高速开关和低功耗的应用场景中更为常见,如数字电路、高频电路和电源管理等。 P沟道MOSFET:虽然P沟道MOSFET的开关速度较慢且导通电阻较高,但其在高边开关(High-Side Switch)应用中具有独特优势。