集成D类音频放大器多芯片模块(MCM)系列器件将PWM控制芯片和数字音频功率MOSFET集成在一个封装中,提供高功率功效、紧凑的解决方案,减少组件数量,无需散热器,使PCB尺寸缩小高达70%。 产品 关闭配置表 比较 分享 下载 17结果 筛选 编辑列表 产品 Product Status ...
现在,氮化镓FET和IC的出现正在迎来高质量、低成本D类音频放大器的时代。基于GaN的FET和IC更优异的开关和热性能产生的波形比硅MOSFET所能达到的波形更接近所需的理想波形。采用GaN技术的高级
采用分立MERUS™ 音频放大器驱动器IC匹配使用MOSFET 或氮化镓 CoolGaN™ 400V e-mode HEMTs 统一设计平台的可扩展输出功率 英飞凌的分立音频解决方案可以扩展到各种输出功率级别,只需用驱动功放芯片 –匹配组合不同的外部MOSFET或CoolGaN™ e-mode HEMTs即可。
6 Mosfet管 7 热敏电阻Thermistor(NTC) 8 压敏电阻Vanistor 9 磁珠Ferrite Chips And Beads 10 其他元器件Other Semiconductors 分类: 1)电容:钽电容、铝电解电容器、陶瓷电容器、贴片、直插电容 2)二极管:整流二极管、肖特基二极管、齐纳二极管3)晶体管:双极型晶体管、MOSFET4)电阻:可变电阻、贴片电阻、金属膜电阻...
GSR065D046 650V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是一款采用 GSR Semiconductors Gen IV 平台的常关器件。它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。 Gen IV 平台使用先进的外延和专利的设计技术来简化可制造性,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷来提高器件效率。
In conjunction with two external MOSFET and a few external components, a complete Class D audio amplifier with protection can be realized. International Rectifier’s proprietary noise isolation technology allows high current gate drive stage and high speed low noise error amplifier reside on a single...
BD9D320EFJ是内置低导通电阻的功率MOSFET的同步整流降压型开关稳压器。最大可输出3A的电流。是恒定时间控制DC/DC转换器,具有高速瞬态响应性能,无需外接的相位补偿电路。 柚柑网: DC-DC电源芯片 BD9D320EFJ-E2 HTSOP-J8-EP 欧时: ROHM BD9D320EFJ-E2 降压转换器, 降压, 4.5 → 18 V输入, 3A最大输出...
Power MOSFET 功率MOSFET MOS管 功率场效应晶体管 IRFD9120 规格参数 是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合 生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP 包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T4针数:4 Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99 HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.15 ...
TUF Gaming H670-PRO WIFI D4採用標準ATX尺寸,整體造形充滿這代TUF Gaming家族的軍武設計元素,雖說屬於較入門的定位,但用料依舊沒有馬虎,從那塊厚實的MOSFET散熱裝甲就能略知一二,主機板本身更是採用了2oz厚度銅的PCB,而為了撐起12代處理器高功耗的需求,用上了Z690版本相同的14+1相供電設計,配上8+4 pin...
CoolMOS™ G7 SJ MOSFET 与双DPAK(D-DPAK)中的CoolSiC™肖特基二极管G6 适用于高功率应用的创新型顶部散热SMD解决方案 英飞凌推出的首款顶部散热表面贴装器件(SMD)封装,可满足PC电源、太阳能、服务器和电信等高功率SMPS应用的需求。现有高压技术600 V CoolMOS™ G7超级结 (SJ) MOSFET和CoolSiC™肖特基二...