现实是：在氮化镓Normally-off D-Mode技术中，氮化镓芯片承受大部分的关断高压（>90%）。硅MOSFET仅需承受几十伏的电压。单位面积的导通电阻随着额定电压按二次方下降，所以硅MOSFET实现了极低的导通电阻（RDS(ON)），不足总电阻的10%，并具有非常小的反向恢复电荷（Qrr）。值得注意的是，这个Qrr比高压超结硅MOSFE...
在原材料方面，模块无需采用铜基板，有利于降低规模生产的封装成本。同时，得益于模块性能效率的提升和散热需求的降低，可减少机构件尺寸和散热材料的使用，帮助控制系统热设计成本。此外，模块可与Si MOSFET栅极驱动器兼容，驱动简便，其在保留氮化镓材料最优性能的同时具备最高硅MOSFET栅极可靠性，可为客户提供高性能、...
D-MODE晶体管是一种PN结二极管,其内部仅有PN结,而MOSFET则具有更复杂的结构,包含源极、漏极、栅极三个端子。D-MODE具有单向导电性,而MOSFET可以双向导电。因此,D-MODE只能用于整流或限流等功能,而MOSFET则可用于放大、开关等更多用途。此外,D-MODE的导通与截止由PN结的电压决定,而MOSFET则是通过栅极的电压来控制沟...
MOS)结构来控制电流。MOSFET有四个主要的部分：源极(Source)、漏极(Drain)、栅极(Gate)和体(Bulk)或基底(Substrate)。在栅极和半导体之间有一层薄薄的氧化物绝缘层，通过在栅极上施加电压，可以在半导体表面形成一个导电通道，从而控制源极和漏极之间的电流。MOSFET有两种类型：增强型(Enhancement-mode)...
此外,模块可与Si MOSFET栅极驱动器兼容,驱动简便,其在保留氮化镓材料最优性能的同时具备最高硅MOSFET栅极可靠性,可为客户提供高性能、高可靠性和高性价比的解决方案。 03优化布局 加快发展新质生产力 ▲模块驱动简便,可适配多场景应用 风华芯电是国星光电布局化合物半导体封测领域的重要抓手,专业从事半导体分立器件、...
在应用中,由于E-Mode GaN是常关型器件,使用方式可以与传统的硅MOSFET类似,但需要复杂的外围电路设计。如果要直驱,需要匹配专用的GaN驱动IC。比如纳芯微的E-mode GaN专用高压半桥栅极驱动器NSD2621、英飞凌的GaN EiceDRIVER系列高侧栅极驱动器等。 不过E-Mode GaN器件也有缺点,首先因为需要控制二维电子气来实现常关特...
在自然状态下,2DEG沟道可不受束缚地最大化其无与伦比的高迁移率和电荷密度组合。Transphorm的Normally-off D-mode解决方案是将氮化镓HEMT与低电压常关型硅基MOSFET结合来实现常闭型操作。该解决方案根据功率等级、拓扑结构及系统框架可提供2.5伏至4.0伏的正阈值电压。
此外,模块可与Si MOSFET栅极驱动器兼容,驱动简便,其在保留氮化镓材料最优性能的同时具备最高硅MOSFET栅极可靠性,可为客户提供高性能、高可靠性和高性价比的解决方案。 模块驱动简便,可适配多场景应用 03 优化布局 加快发展新质生产力 风华芯电是国星光电布局化合物半导体封测领域的重要抓手,专业从事半导体分立器件、集...
3.稳健性且易驱动性:采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极,不受 e-mode 的 p 栅极限制,可兼容硅基驱动器和控制器。 Transphorm业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示,“长期以来,宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭型 d-mode和e-mode氮化镓。我们最初进入市场时,对这两种技术路线都进行了研...
在应用中,由于E-Mode GaN是常关型器件,使用方式可以与传统的硅MOSFET类似,但需要复杂的外围电路设计。如果要直驱,需要匹配专用的GaN驱动IC。比如纳芯微的E-mode GaN专用高压半桥栅极驱动器NSD2621、英飞凌的GaN EiceDRIVER系列高侧栅极驱动器等。 不过E-Mode GaN器件也有缺点,首先因为需要控制二维电子气来实现常关特...