网络型金氧半场效电晶体 网络释义 1. 型金氧半场效电晶体 ...氧半场效电晶体(D-mode MOSFET),增强型金氧半场效电晶体(E-mode MOSFET)或甚至金氧半高电子迁移率电晶体(MOS-H… ir.lib.nthu.edu.tw|基于 1 个网页
一、E-mode氮化镓驱动方案的特点 E-mode氮化镓(GaN)的驱动与传统的硅MOSFET有所不同。E-mode GaN是增强型器件,其驱动电压范围相对较窄,典型值为6V,最高不能超过7V。由于驱动电压余量较小,通常需要采用RC加Zener电路来进行钳位与分压以驱动GaN,这使得驱动电路相对复杂,增加了设计难度,并可...
公司已在上海证券交易所科创板上市,股票简称"芯导科技",股票代码为688230.SH。芯导科技专注于功率IC(锂电池充电管理 IC、负载开关及OVP过压保护 IC、音频功率放大器、GaN 驱动与控制IC、DC/DC电源IC等)以及功率器件(ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、Schottky等)的开发及应用。公司在深耕国内市场开拓的同时,...
产品中心 MOSFET IGBT GaN 碳化硅 肖特基二极管 快恢复二极管 整流桥堆 应用领域 消费电子 医疗电子 汽车电子 工业电子 移动通讯 联系我们 电话:0755-2944 6199 传真:0755-2944 6099 邮箱:www.semihk.com 网站:www.semihk.com公司地址:深圳市宝安区福海街道新和社区福海信息港 工厂地址:惠州市惠阳区沙田镇长龙岗工...
由于GaN器件可以实现反向导通,替代了普通MOSFET体二极管的续流作用,但是一旦负载电流过大会出现高反向导通压降,造成较大的传输损耗,降低了系统效率,所以NSD2621内置20ns~100ns可调的硬件死区时间,可以有效避免发生桥臂直通的情况,桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通,如果两端有电压,将导致直流电源...
图2 描述了两种本质上常闭型 GaN HEMT 的实现方式:分别为 p 栅极(带肖特基栅极接触)和凹陷栅极。第三种方案(未显示)由 d 模式 HEMT 和硅低压MOSFET组成,采用共源共栅配置,部分供应商采用此方案。 具有绝缘栅电介质的绝缘栅场效应晶体管具有理想的特性,例如栅极漏电减少和栅极电压摆幅大。金属绝缘体半导体场效应...
在应用中,由于E-Mode GaN是常关型器件,使用方式可以与传统的硅MOSFET类似,但需要复杂的外围电路设计。如果要直驱,需要匹配专用的GaN驱动IC。比如纳芯微的E-mode GaN专用高压半桥栅极驱动器NSD2621、英飞凌的GaN EiceDRIVER系列高侧栅极驱动器等。 不过E-Mode GaN器件也有缺点,首先因为需要控制二维电子气来实现常关特...
该平台具有优越的TCR和更低的动态与静态导通电阻比,从而降低损耗并提高效率和品质因数。此外,由于其高饱和电流,Transphorm d-mode更适用于高功率级应用,而e-mode则需要并联才能提供相同的电流,导致功率密度和可靠性下降。该平台还采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极,兼容硅基驱动器和控制器。
在应用中,由于E-Mode GaN是常关型器件,使用方式可以与传统的硅MOSFET类似,但需要复杂的外围电路设计。如果要直驱,需要匹配专用的GaN驱动IC。比如纳芯微的E-mode GaN专用高压半桥栅极驱动器NSD2621、英飞凌的GaN EiceDRIVER系列高侧栅极驱动器等。 不过E-Mode GaN器件也有缺点,首先因为需要控制二维电子气来实现常关特...
D-Mode GaN是一种常开型器件,需要负向栅极电压来控制电流,具有高开关速度和低导通电阻的优势,适合高频和高效率的应用,如光伏微型逆变器、OBC、充电桩和数据中心电源等。D-Mode GaN需要通过外围元器件转换为常关型使用,其驱动兼容性好,可以使用与传统硅MOSFET相同的驱动电路。