这样,充电电子聚集在一块板上,形成电压,就是1;放电,两块板没有电压,就是0,一系列的电容搭配上mosfet(开关)就可以控制电容的充电和放电,八个一组,就有八个0和1的组合,就是二进制里面的字节概念,这就是内存芯片在FAB工艺实现的底层逻辑。 FAB厂干的活就是在衬底上来制造出这样的上面所述的电路:开关(晶体管)...
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查看详情 2331418 电子模块 INFINEON 封装SOP19 批号0952+ ¥0.50 查看详情 78P2241B-IH 电子模块 TDK 封装PLCC 批号08+ ¥0.50 查看详情 85301AKLF 电子模块 ICS 封装QFN16 批号0927+ ¥0.50 查看详情 AD2S1210WDSTZRL7 集成电路(IC) ADI 封装LQFP48 批号21+ ¥0.50 查看详情 AD620ARZ-REEL 运算放...
接口及驱动芯片-MOSFET及IGBT驱动器-MCP1416T-E/OT-MICROCHIP-SOT23-5-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则...
DGMOFET(Dual-gate MOSFET)是一种有两个栅极的MOSFET。DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET,它通过用单链DNA分子制成的栅极去检测相配的DNA链。FREDFET(Fast Recovery Epitaxial Diode FET)是一种用于提供非常快的重启(关闭)体二极管的特殊FET。HEMT(高电子迁移率晶体管,High Electron Mobility Transistor)...
最大电源电压 9.5V 长度 3.6mm 宽度 8mm 高度 1.2mm 可售卖地 全国 型号 WP9E 技术参数 品牌: JHK 型号: WP9E 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 8.5V 长度: 9mm 宽度: 3mm 高度: 1.1mm 价格说明 价...
3. 稳健且易于驱动:Normally-Off D-Mode平台采用了最稳健的硅MOSFET SiO2栅极,不受E-Mode设计的限制,可以与硅基驱动器和控制器兼容。 Transphorm的高级副总裁Philip Zuk表示:“在宽禁带行业,长期以来围绕着常闭型D-Mode和E-Mode氮化镓晶体管两种不同架构的争论从未停止。经过我们的研究和探索,我们决定选择常闭型D-...
有了氮化镓等新型材料的加持,近两年很多品牌都上线了各种氮化镓快充充电器。氮化镓充电器不但可以提高设备的充电效率,而且在体积、散热等方面也有十分不错的表现,加上技术的不断完善和升级,氮化镓充电器价格也不断下探。30W氮化镓快充芯片U8722CAS成本低、质量好,可以帮你缓解充电器成本焦虑。
英飞凌 N 通道和 P 沟道功率 MOSFET 凭借其独特设计实现更高效率、功率密度和成本效益。 关于功率MOSFET 功率MOSFET是一种金属氧化物硅场效应晶体管,工作电压最高达到1 kV(SiC:2 kV),具有高开关速度和最佳效率。 这项创新技术在消费电子、电源、...
英飞凌 N 通道和 P 沟道功率 MOSFET 凭借其独特设计实现更高效率、功率密度和成本效益。 关于功率MOSFET 功率MOSFET是一种金属氧化物硅场效应晶体管,工作电压最高达到1 kV(SiC:2 kV),具有高开关速度和最佳效率。 这项创新技术在消费电子、电源、DC-DC转换器、电机控制器、射频应用、交通出行技术和汽车电子等广泛...