抵抗内蔵型トランジスター 詳細 JFET 詳細 MOSFET 詳細 BJTとMOSFETの動作 詳細 MOSFETの構造と動作 詳細 MOSFET:RDS(ON)の決定要因 詳細 MOSFET:低RDS(ON)化 詳細 Super Junction MOSFET 詳細 MOSFETの構造別特長 詳細 MOSFET:ドレイン電流と許容損失 ...
東芝デバイス&ストレージ株式会社は、車載トラクションインバーター向けに、新構造で低オン抵抗と高信頼性を両立した1200V耐圧シリコンカーバイド (SiC) MOSFETのベアダイ製品「X5M007E120」を開発し、テストサンプル出荷を開始しました。
沿面距離 8mm の300 milワイドボディパッケージ、150 mil、5x5 mm LGAパッケージで提供 低損失で高速なターンオン スイッチング周波数の向上と長寿命化 寄生ターンオンを回避 IGBTおよびSIC MOSFETの高速保護 EMIと効率を両立させるゲート抵抗の最適化 デッドタイム短縮による高効率化...
大電流にもかかわらず、出力段は、オン抵抗RDS(ON)が非常に低く、ゲート抵抗を外付けしなくても、または非常に小さくてもよいので、ドライバICの消費電力を最小化できます。システムの信頼性を高めるためのグラウンドバウンスに対する耐性が非常に優れていることは、制御入力とイネーブル入力...
また、ゲート電荷(Qg)とオン抵抗(RDS(ON))が非常に低く、容量プロファイルが軽負荷時の動作に特化されているため、より高い動作周波数、高効率化、温度管理の簡略化、EMI低減が可能になります。MDmesh DM6は、優れた電力定格で堅牢な性能と高い電力密度を実現できるため、電気自動車の充電器、通信...
4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用 : ゲートドライブ用信号ソース端子のケルビン接続でスイッチング損失を低減 第3世代SiC MOSFET ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い 順方向電圧 (ダイオード) が低い : VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V) ...
超低オン抵抗 RDS(on)1= 最大40 mΩ(VGS= -10 V, ID= -7.5 A)RDS(on)2= 最大60 mΩ(VGS= -4.5 V, ID = -7.5 A) 低入力容量 Ciss= 1100 pF (標準) ゲート保護ダイオード内蔵 製品比較 アプリケーション ドキュメント
STPOWER SiCパワーMOSFETの特徴 車載グレード(AG)対応 きわめて優れた温度特性(最大TJ= 200℃) きわめて高いスイッチング周波数での動作ときわめて低いスイッチング損失 低いオン抵抗 既存のICと互換性のあるゲート･ドライバ 高速かつ堅牢なボディ･ダイオードを内蔵 ...
その結果、ドレーンに正の電圧を加えると、ソースからドレーンに電子流が生じドレーン電流が流れる。チャンネル抵抗分によって電圧降下が生じ、ドレーン側ほどゲートとチャンネル間の電圧差が減少するので反転層の厚さが薄くなる。ゲート電圧を高くするとチャンネルの厚みが増えて抵抗分が小...
このままだとスイッチOFFの時の動作が決定できないので、下段のPchはDを抵抗を挟んでGNDに、Nchは抵抗を挟んで電源につないであります。抵抗はMOSFETがONになった時に電源とGNDがショートしないために入れます。 入力が0というのは入力をGNDにつないでいるのと同じ、入力1は電源につないでい...