在MOSFET处于可变电阻区时，漏极电流ID与栅源电压VGS之间存在直接关系。当VGS超过阈值电压Vth且VDS足够小未进入饱和区时，沟道处于未夹断状态，此时ID的大小由VGS和VDS共同决定。当VDS远小于VGS-Vth时，萨方程可简化为线性关系：ID≈μnCox(W/L)[(VGS-Vth)VDS]。此时MOSFET相当于由VGS控制的压控电阻，导通电阻...
首先从表示ID-VGS特性的图表中,读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS(th),因此Ta=25℃的曲线与1mA(0.001A)的线交界处的VGS约3.8V。技术规格中虽未给出代表值(Typ),但从图表中可以看出,VGS(th)的Typ值为3.8V左右。图表的值基本上可理解为Typ值。 然后是ID-VGS特性,作...
VDS：漏极-源极电压，即MOSFET工作时漏极和源极之间的电压（最大承受）。VGS：栅极-源极电压，即MOSFET工作时栅极和源极之间的电压（最大承受）。ID：漏极电流（漏极可承受的持续电流值），即MOSFET工作时从漏极流出的电流，如果流过的电流超过该值，会产生击穿的风险。IDM：最大脉冲漏极电流（源漏之间可承受...
当Vgs小于阈值电压Vth时,MOSFET处于截止状态,此时无论Vds如何变化,漏极电流Id都极小或为零。 当Vgs大于Vth时,MOSFET开始导通,漏极电流Id随着Vds的增大而增大。但这一增长并非无限制的,具体取决于MOSFET的工作区域。 工作区域: 线性区:当Vds较小时,MOSFET处于线性区。在此区域内,Id与Vds成正比,MOSFET可以看作是一...
可以看到,MOS管的相关参数其实有很多,其实,在一般应用中,我们主要考虑漏源击穿电压VDS、持续漏极电流ID、导通电阻RDS(ON)、最大耗散功率PD、开启电压VGS(th),开关时间,工作温度范围等参数就可以了。
为了发挥MOSFET性能优势,用户除了详细阅读产品规格书外,有必要先了解MOSFET的寄生电容,开关性能,VGS(th)(界限値),ID-VGS特性及其各自的温度特性。 MOSFET的寄生电容和温度特性 在构造上,功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化层绝缘,在DS(漏极、源极)间形成PN接合,成为内置二极管构造...
VGS是栅极到源极的电压 fSW是开关频率。等式4引出了一个重要的观察结果。具有更高栅极电荷要求的MOSFET将降低效率，因此设计者面临一个权衡：更大的栅极面积有助于减少RDS（导通），从而减少导通损耗，但更大的栅面积也会增加QG，从而增加栅极电荷损耗。总结 基于MOSFET的开关电路通常比依赖于晶体管操作的线性模式的...
VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID 表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。 IDM 表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度,如果超过该值,会引起击穿的风险。 EAS 表示单脉冲雪崩击穿能量,如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压,则器件不...
本篇主要介绍绝对最大额定值相关的参数。主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、TJ、TSTG几个参数,参数列表如下所示 1、漏-源极电压(VDS) VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压,在管子工作时,这两端的电压应力不能超过最大值。在MOSFET选型时,VDS电压都要降额80%选用。
图2:ID与VGS在不同VSB下的对比（浅蓝色：VSB=0V；绿色：VSB=-0.5V；红色：VSB=0.5V）。相对于体效应的阈值电压可以计算为：方程式5 其中：Vth0是标称阈值电压 ΦF是硅的费米势。体效应对模拟设计有很大影响——堆叠晶体管是非常流行的，这会导致体效应以一种非平凡的方式改变阈值电压。信道长度调制 理论...