特征●针对低RDS的超高密细胞沟槽设计(开启)。●坚固而可靠。●表面安装软件包。
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矽源特PE2301是VDS=-20V,ID=-3A,RDS(ON)<110mΩ,@VGS=-4.5V,RDS(ON)<140mΩ,@VGS=-2.5V的P-Channel MOSFET. 矽源特PE2301的丝印是a.NC3A.PE2301提供SOT-23封装. The 矽源特PE2301 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It can be used in a wide...
品牌 APM 封装 SOT23-3 批号 22+ 数量 30000 产地 广东深圳 可售卖地 全国 型号 APM2301CAC-TRG 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在...
NX2301P - P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
本公司生产销售场效应管 场效应管 MOS管,提供场效应管专业参数,场效应管价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.场效应管 场效应管 品牌GC|产地广东|价格0.10元|型号LP2301LT1G|FET类型N/P|封装贴片|批号新货|栅源电压(Vgs)以规格书为准|安装类型片式|漏源导通电阻(RDS
PL2301GD SOT-23-3 P通道高密度壕沟MOSFET 特点 ●用于低RDS的超高密电池沟槽设计(开启)。 ●坚固而可靠。 ●表面安装软件包。
在淘宝,您不仅能发现LP2301ALT1G |原20V P沟道增强型MOSFETMOSFETsSOT-23的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于LP2301ALT1G |原20V P沟道增强型MOSFETMOSFETsSOT-23的信息,请来淘宝深入了解吧!
SP3401LT2C SOT-23 P -30 -12 -3.3 -0.9 45 55 MP SP30N27DTS SOT-23-6L N 30 12 5.8 1 27 30 MP SP30N27T8 SOT-89 N 30 12 5.8 1 27 30 MP SP2301BT2 SOT-23 P -20 -10 -2 -0.75 0 95 MP SP16P50T2 SOT-23 P -16 -12 -3 -0.65 0 50 MP SP2333BT1 SOT-23-3L P ...
PAGE . 4March 2,2015-REV.02PJ2301CHARACTERISTIC CURVESFig.7 Gate-to-Source and Drain-to-Source vs. Total ChargeFig.8 Diode Forward Voltage vs. CurrentFig.9 Resistive Switching Time Variation vs. Gate ResistanceFig.10 Drain-to-Source Leakage Current vs. V