金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，清华大学取得一项名为“优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路“，授权公告号CN108270424B，申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明公开了一种优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路，包括：驱动电压波形发生器，用于产生一个预设上升沿的驱动电压波形；变门极驱动...
如果MOSFET所加的负载为感性负载,由于电感电流不能突变,导致流过MOSFET的电流向晶元的中间流动,如图2所示。这样就会造成MOSFET局部单元过热而导致MOSFET局部单元损坏。 如果加快MOSFET的关断速度,以尽量让MOSFET快速关断,不让能量产生集聚点,这样就不会因局部单元过热而损坏MOSFET。 注意到:MOSFET的关断过程是一个由稳态向...
MOSFET栅极驱动调整电路:R16、R17、R18、D17 “为了优化外置MOSFET Q1的开关工作,由R16、R17、R18、D17组成一个调整电路,用来调节来自BD7682FJ的OUT引脚的栅极驱动信号(参见电路图)。这个电路会对MOSFET的损耗和噪声产生影响,因此需要一边确认MOSFET的开关波形和损耗,一边进行优化。” 开关导通时的速度由串联到栅极驱...
有源栅极驱动(AGD)电路作为一种新型驱动电路,已被广泛应用于SiC MOSFET开关轨迹的优化控制。东南大学电气工程学院的研究人员王宁、张建忠,在2022年第10期《电工技术学报》上撰文,分析AGD电路的工作原理,给出不同驱动参数对开关特性的影响;他...
VGS 的较小变化不会引起很大的电流变化,所以 SiC MOSFET 被认为是低跨导器件。 为了补偿较低的增益,使电流 ID 发生较大的变化,同时降低导通电阻RDS,我们一般使用更高的栅极电压 VGS。所以,我们常见的 SiC MOSFET 采用的驱动电压都是 18~20V,较低的驱动电压会导致较大的损耗,工作状态不佳,容易造成热失效,这个和...
-控制MOSFET - MOSFET门极驱动电压的优化-在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电流通过MOSFET通道电阻所造成的功率损耗是总功耗中最大的一部分。然而,其他一些
本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法,用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性.该参数设计方法包括:构造干扰路径传递函数的特征多项式;根据特征多项式构造标准二阶系统;取SiC MOSFET的输入电容C和栅极内电阻R为基准值进行参数标幺化;验证杂散电感是否足够小,以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比;设计辅助并联...
CXLE8852是一个180kHz的固定频率脉冲宽度调制降压(降压)DC/DC转换器,能够驱动3.5A的负载,具有高效率、低纹波和良好的线和负载调节。该调节器需要最少数量的外部元件,使用简单,包括内部频率补偿和固定频率振荡器。 该PWM控制电路能够将占空比从0%线性调整到100%。内置过流保护功能。当发生短路保护时,工作频率由180KHz...
CXLE8852固定频率脉冲宽度调制降压DC转换器驱动3.5A的负载内部优化功率MOSFET带输出恒流回路PWM控制电路能够将占空比从0%线性调整到100%内部频率补偿和固定频率振荡器 信息评论
金融界2024年5月8日消息,据国家知识产权局公告,清华大学取得一项名为“优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路“,授权公告号CN108270424B,申请日期为2018年3月。 专利摘要显示,本发明公开了一种优化碳化硅MOSFET开通波形的开环驱动电路,包括:驱动电压波形发生器,用于产生一个预设上升沿的驱动电压波形;变门极驱动电阻控...