1.1. 栅极驱动和基极驱动 双极晶体管是电流驱动器件, MOS是电压驱动器件。要在集电极中产生电流,须在基极端子和发射极端子之间施加电流。在栅极端子和源极端子之间施加电压时,MOS在漏极中产生电流。 1.2. MOSFET 的特点 MOSFET有以下特点: 1)由于 MOSFET 是电压驱动器件, 因此无直流电流流入栅极。 2)要开通 MOSFET...
其原理是利用共射极放大电路作为驱动部分,与MOSFET串联形成电流放大电路,从而达到扩大电流功率的目的。与基本共漏极MOSFET驱动电路不同的是,基本共射极MOSFET驱动电路所输出的电压为负,需要特别注意保护电路。 三、总结 MOSFET驱动电路的应用非常广泛,特别是在一些高频应用场合,例如升压转换器、电子变压器等。通过对MOSFET...
MOSFET驱动电路的原理是通过控制MOSFET的栅极电压来控制MOSFET的导通和关闭。当给MOSFET的栅极施加正电压时,MOSFET的源极和漏极导通,电流可以通过MOSFET流动;当给MOSFET的栅极施加零电压或负电压时,MOSFET的源极和漏极断开,电流无法通过MOSFET流动。 在实际应用中,通常使用PWM(脉冲宽度调制)信号来控制MOSFET的导通和关闭时...
自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的，其工作原理如下。当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下...
2. MOSFET驱动原理 MOSFET是一种三端器件,包括源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。MOSFET的导通与栅极电压有关,当栅极电压高于一定阈值时,MOSFET导通;当栅极电压低于阈值时,MOSFET截止。 低边驱动电路的目的是将MOSFET的栅极电压控制在导通和截止之间。一种常见的低边驱动电路如下图所示: 该电路由一个NPN型晶体管(Q1...
使用叠加 CDRV 方程的原理,可采用 公式 18 找到耐受的纹波电压 (ΔV) 的旁路电容值。 (2)驱动器的保护 对于直接驱动和使用双极输出极的栅极驱动 IC,必须做的另一件事就是为输出双极晶体管提供合适的保护,防止反向电流的形成。如图 9 中所示,集成双极驱动器的输出极由 NPN 晶体管构成,因为其空间利用率更高效...
一、MOSFET半桥驱动电路的工作原理 MOSFET半桥驱动电路由两个MOSFET和两个驱动电路组成。其中,一个MOSFET被称为高侧MOSFET,负责控制负载之间的正电源连接;另一个MOSFET称为低侧MOSFET,负责控制负载之间的地连接。驱动电路通过调整控制信号的频率和占空比,控制MOSFET的导通和截止,从而控制负载的开关状态。 二、MOSFET半桥驱...
N沟道MOSFET的基本工作原理如下。如果我们施加零、低或负栅源电压,则器件关闭,因为N-P-N区域充当两个背靠背二极管。因此,只有非常小的漏电流可以从漏极流向源极(反之亦然)。在这里,N和P指的是用于“掺杂”纯硅以产生有趣的半导体行为的化学物质类型。
在MOS 管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS 管中 3、存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。2,MOS管导通特性导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs 大于一定的值就会导通,适合用于源...