1.1. 栅极驱动和基极驱动 双极晶体管是电流驱动器件, MOS是电压驱动器件。要在集电极中产生电流,须在基极端子和发射极端子之间施加电流。在栅极端子和源极端子之间施加电压时,MOS在漏极中产生电流。 1.2. MOSFET 的特点 MOSFET有以下特点: 1)由于 MOSFET 是电压驱动器件, 因此无直流电流流入栅极。 2)要开通 MOSFET...
其原理是利用共射极放大电路作为驱动部分,与MOSFET串联形成电流放大电路,从而达到扩大电流功率的目的。与基本共漏极MOSFET驱动电路不同的是,基本共射极MOSFET驱动电路所输出的电压为负,需要特别注意保护电路。 三、总结 MOSFET驱动电路的应用非常广泛,特别是在一些高频应用场合,例如升压转换器、电子变压器等。通过对MOSFET...
图15 依据此原理改进了实施,减少了器件数,使用双驱动器为小型 N 沟道放电晶体管提供反相 PWM 信号。 此电路可提供非常快的开关速度,可将 MOSFET 栅极完全放电至 0V。RGATE 不但能像以前一样设置开通速度,还可用于在驱动信号时序有缺陷时防止在驱动器两个输出之间形成击穿电流。要考虑的另一个重要因素是,QOFF ...
自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的，其工作原理如下。当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下...
MOSFET半桥驱动电路工作原理 图2所示为典型的MOSFET半桥驱动电路。半桥驱动电路的关键是如何实现.上桥的驱动。图2中C1为自举电容,D1为快恢复二极管。PWM在上桥调制。当Q1关断时,A点电位由于Q2的续流而回零,此时CI通过VCC及D1进行充电。当输入信号H..开通时,上桥的驱动由CI供电。由于C1的电压不变,Vg随Vs的升高...
2. MOSFET驱动原理 MOSFET是一种三端器件,包括源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。MOSFET的导通与栅极电压有关,当栅极电压高于一定阈值时,MOSFET导通;当栅极电压低于阈值时,MOSFET截止。 低边驱动电路的目的是将MOSFET的栅极电压控制在导通和截止之间。一种常见的低边驱动电路如下图所示: 该电路由一个NPN型晶体管(Q1...
(1)正激式驱动电路。电路原理如图9(a)所示,N3为去磁绕组,S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小,且从速度方面考虑,一般R2较小,故在分析中忽略不计。 其等效电路图如图9 (b)所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1,它做为正激变换器的假负载,用于消除关断期间...
二、MOSFET 低边驱动电路的工作原理 MOSFET 低边驱动电路主要由 MOSFET 晶体管、驱动器和电源等部分组成。在工作过程中,驱动器接收到输入信号后,通过调整 MOSFET 晶体管的导通程度来控制电路中的电流。具体来说,当输入信号为高电平时,驱动器使 MOSFET 晶体管导通,从而使电流流过;当输入信号为低电平时,驱动器使 MO...
电路原理分析:PQ27控制脚为高电平，PQ27导通，所以其漏极为低电平，右侧的mos管处于截止状态，所以输出...