优化驱动信号的波形：优化驱动信号的波形可以降低开关损耗和EMI噪声，从而提高驱动电路的效率。增加保护措施：增加适当的保护措施可以提高驱动电路的可靠性和安全性。通过这些方面来下手，可以实现不断优化设计大功率SiC MOSFET的驱动电路，在对这些综合考虑电路的性能、稳定性和可靠性等因素之后，根据实际应用场景进行针对性...
PIC 12F675的GP0端口驱动有一个LED二极管,而用作PWM信号的监控器。GP1端口对由IRL540功率MOSFET组成的预驱动器进行控制——这特别适用于使用MCU的应用,因为此时供给“栅极”的能量非常低。第一个MOSFET的“漏极”端子对第二个SiC MOSFET进行驱动,对负载(电阻性或电感性)上的电流进行开关。两个快速二极管可消除感性...
在基于SiC MOSFET的双有源桥(Dual Active Bridge,DAB)电路中,碳化硅器件的高开关速度使得同一桥臂上下管之间的串扰严重,导致SiC MOSFET栅极电压波动较大,振荡尖峰很有可能会使器件失效,整个系统可靠性受到了严峻的挑战.本文主要研究DAB中SiC MOSFET的栅极负压问题,设计了一种能够有效减小SiC MOSFET栅极负压的驱动电路,...
此外，SiC-MOSFET在开通和关断过程中，驱动电路需要对其寄生电容进行快速充放电，因此驱动电路必须具备强大的容性负载驱动能力。在计算每路驱动的输出功率时，可以依据公式（2）进行近似估算，并考虑栅极驱动电阻RG的损耗以及驱动电路自身的损耗，以确保设计具有一定的裕量。此外，为了确保系统运行的安全与稳定，基本驱动电...
采用Infineon最新的2kV SiC MOSFET产品可以简化电路拓扑,优化电路结构,减少配套电路的数量,降低控制的复杂度。图66所示,是母线电压1500V的DCDC变换器使用1200V SiC MOSFET和2kV SiC MOSFET的半桥解决方案。 a. 1200V SiC MOSFET解决方案 b. 2kV SiC MOSFET解决方案 ...
[敏感词]个MOSFET的“漏极”端子对第二个SiC MOSFET进行驱动,对负载(电阻性或电感性)上的电流进行开关。两个快速二极管可消除感性负载产生的过电压。也可以不使用它们,因为SiC MOSFET受到了很好的保护,但是[敏感词]还是考虑使用它们。如果使用电阻性负载,则可以将它们从电路中去掉。两个常开按钮通过相应的下拉电阻...
SiC MOSFET电路大功率多管并联实例分享-KIA MOS管 SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车)中优化性能。
在功率器件的选用上,无论是追求极致效率的单管解决方案,还是高度集成、优化散热的模块化设计,安森美都能提供满意之选。安森美的产品阵容提供全系列高、中、低压功率分立器件以及先进的功率模块方案,包括IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块(IPM)。
这款车载充电器 SiC MOSFET 具备众多卓越的特点。首先，其高速切换的特性使得电能转换更加迅速和高效，大大缩短了工作时间，提升了整个系统的响应速度。同时，极低的开关损耗有效降低了能量的浪费，提高了能源利用率，为节能环保做出了贡献。它还拥有 IGBT 兼容的驱动电压，开启电压为 15V，这一特性使得其在实际应用中...
国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%,揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。 2020-12-29 - 应用方案 代理服务 技术支持 批量订货 【...