1、MOSFET的结构 MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同,但 结构上有较大区别,小功率MOSFET管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直...
为了实现导电,我们需要在硅元素中加入其他元素:三价元素(如硼)或者五价元素(如磷): 掺入三价元素,取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体:空穴为多子,自由电子为少子,靠空穴导电 掺入五价元素,取代晶格中硅原子的位置,就形成N型半导体:自由电子为多子,空穴为少子,靠自由电子导电 有了以上基础概念,我们再仔细...
FET全称为Filed Effect Transistor,场效应管。是一种靠电场效应控制其电流大小的半导体器件,基本无电流。 分类: 1、MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管) 2、JFET(结型场效应管) 特点: 1、由于基本无电流,所以消耗的功率特别小 2、只有多子(电子或空穴)参与导电,所以称FET为单极型器件 3、体积小、重量轻、耗电...
概念1:MOSFET耗尽型和增强型的区别: 耗尽模式 当栅极端子两端没有电压时,通道将显示其最大电导。而当栅极端子两端的电压为正或负时,则沟道电导率会降低。 增强模式 当栅极端子两端没有电压时,该器件将不导通。当栅极端子两端的电压最大时,该器件将显示出增强的导电性。
概念1:MOSFET耗尽型和增强型的区别: 耗尽模式 当栅极端子两端没有电压时,通道将显示其最大电导。而当栅极端子两端的电压为正或负时,则沟道电导率会降低。 增强模式 当栅极端子两端没有电压时,该器件将不导通。当栅极端子两端的电压最大时,该器件将显示出增强的导电性。
场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是另一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器件,又称为单极型晶体管。与双极型晶体管相比,场效应晶体管有以下优点。 (1)输人阻抗高,这有利于各级间的直接耦合,有利于在大功率晶体管中将各子晶体管并接,有利于输人端与徼波系统的匹配。
2.3.3MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10~100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。
Field-Effect-Transistor),MOS-FET从本质上来看和J-FET一样也属于“多子”器件,但从控制机理上有所...
IGBT属于少子器件,是两种载流子参与导电,因此具有导电调制效应,因此适合高压大电流,但是少子导电,因此...