MOSFET开启电压的阈值大概在2---4伏之间，有些的P沟通的管子开启电压Z在—3----—5v之间，你是要测得它的具体的开启电压，还是测得管子工作时的VGS呢，如果测开启电压你就慢慢在栅极加电压，使得ID迅速增大的点电压既是，一般ID会从几十或几百μ安培一下增加到几十毫安或几安培的。。。。。如果你要测得管子工作时
MOSFET的驱动难道不是VGS大于开启电压就可以了吗?为什么要在前级放一个专用MOS管驱动芯片呢? 这时候就要说到MOS管的寄生电容了,下图是CSD17303Q5 MOS管的寄生电容参数和充电的电量。由于Q=Ig*t,Q不变的情况下,如果驱动MOS管栅极的电流小,那么时间t就会很长,驱动级就变成了电容的充放电波形。。。所以像前面提到...
您好! 对于CSD17585F5 MOSFET、数据表中没有提到1.8V 的驱动电压。 此MOSFET 是否可由1.8V VGS 电压驱动? 如果是,VGS = 1.8V 时该 MOSFET 的 RDS (ON)和漏极电流(ID)是多少? 此致、 Soumya CSD17585F5 Soumya、 @不建议尝试驱动此器件的1.8Vgs、因为该电压非常接近阈值、...
02 我就是想知道这个峰值电压跟VCC之间的关系。VB = VCC - 二极管压降 - 低端MOSFET导通压降 ...