Micro LED显示技术主要采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例,其像素单元结构从下至上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱(MQW)的有源层、0.25μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。当像素单元加上正向偏电压时,P型GaN接触层的空穴和N型GaN层...
Micro LED因其具有高亮度、高对比、广色域、可实现无缝拼接等优点,被认为是近乎完美的显示技术,在85英寸以上的大屏显示领域具有广阔的应用前景,国内外各大显示屏厂商均在Micro LED显示领域积极布局。芯片结构和封装方式直接决定了Micro LED显示产品的性能,目前行业内采用的芯片结构主要有正装结构、倒装结构和垂直结构,对...
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“Micro-LED外延结构及器件”的专利，授权公告号CN 222051800 U，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种Micro‑LED外延结构及器件。外延结构包括第一氮化物层、氮化物有源层和第二氮化物层；第一氮...
这也是目前Micro-LED出货量低、售价高昂的主要原因。 Micro-LED量产化应用的实现,巨量转移是其得以有效发展的第一步,也是目前产业化进程中的一大难点。Micro-LED巨量转移技术的开发存在许多问题与挑战: (1)在转移之前,需要将Micro-LED从外延片移动到载体。 (2)Micro-LED的厚度仅为几微米,将其精确地放置在目标衬底...
江西兆驰半导体申请Micro LED外延结构及其制备方法专利，提高Micro LED芯片发光均匀性、发光效率和稳定性 金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种Micro LED外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119300569 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明公开了一...
通常,业界有两种类型的Micro-LED芯片结构,即倒装芯片和垂直结构,传统的水平结构不适用于Micro-LED。根据最终的应用方向,当前的Micro-LED技术需要做出结构选择。例如,由于对高ppi的需求,AR/VR更适合选用垂直结构。 有意思的是,在Micro-LED材料、结构和制造工艺的当前阶段,市场参与者的开发方向可能会大不相同。在这样的...
2021年2月,美国专利商标局公布苹果获得一项Micro LED相关专利,即"堆叠混合Micro LED像素结构"。 这也将堆叠结构Micro LED再次推入行业视野内。 高工LED在近日的巡回调研中了解到,目前业内对于硅基堆叠结构Micro LED已经有多家厂商开始跟进初步的技术探索。
专利摘要显示，本申请提供了一种 Micro‑LED 发光结构的制作方法、Micro‑LED 发光结构和电子设备。该制作方法包括：在衬底上生长缓冲层和外延层，在外延层上形成掩模钝化层，干法刻蚀掩模钝化层形成多个像素空间和多个像素隔离部，在刻蚀后的掩模钝化层上逐层形成量子阱发光层、电子限制层和电流扩散层，应用湿法工艺...
硅基Micro LED的结构主要包括LED芯片、电极和封装等组成部分。LED芯片是硅基Micro LED的核心部分,它采用硅基材料作为基底,通过外延生长和微细加工技术制备而成。电极是为了提供电流和控制光的发射,一般采用金属材料制作。封装是为了保护LED芯片和电极,常用的封装材料有环氧树脂和玻璃等。 二、制备工艺 硅基Micro LED的...
江西兆驰半导体取得一种 Micro-LED 的外延结构及其制备方法专利 金融界 2024 年 12 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“一种 Micro-LED 的外延结构及其制备方法”的专利，授权公告号 CN 118825159 B，申请日期为 2024 年 9 月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...