当对LED施加正向电压时，通过电极从n型半导体和n型半导体经过分别向空间电荷区注入电子和空穴，并在结区复合发光。Micro-LED显示技术就是在微型发光二极管（LED）的基础上进行微缩化与矩阵化，其单个发光单元尺寸在50 μm以下，且较高密度地集成在芯片上。Micro LED是LED显示屏微缩化至微米级的显示技术，具有两大特...
面临Micro LED难以突破的巨量转移痛点,华引芯选择Die-to-Wafer Bonding转移方案,通过新型LED芯片结构设计及改进工艺等方法提升EQE,有效解决当前Micro LED面临的巨量转移难度高、芯片效率低下等技术瓶颈问题,大幅提升产品良率及性能,为后续量产商用奠定基础。 7. 深圳市思坦科技有限公司 sitan-micro-led.com 思坦科技成立...
1 Micro LED 显示原理 系将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,其尺寸仅在1~10μm等级左右;后将μLED批量式转移至电路基板上(含下电极与晶体管),其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上;再利用物理沉积制程完成保护层与上电极,即可进行上基板的封装,完成一结构简单的Micro LED Display。 图片来源:DJ理...
Micro LED显示技术主要采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例,其像素单元结构从下至上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱(MQW)的有源层、0.25μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。当像素单元加上正向偏电压时,P型GaN接触层的空穴和N型GaN层...
Micro LED显示技术具有自发光、高对比度、宽色域、长寿命、低响应时间、尺寸可无限扩展,超高像素密度等优势。从图1中与其它显示技术的结构对比可以看出,Micro LED显示器结构简单,有效降低了光在显示器内部的损失,减小了显示器的厚度,更加便于显示屏的集成。
Mini LED和Micro LED最直观的差异就是LED晶体的颗粒大小,但从概念来看却又有一点差异。Mini LED正式名称为「次毫米发光二极管」,Micro LED是指「微发光二极管」,两者晶体尺寸基本上以100 μm为界,约0.1 mm。 Micro LED技术结构(Source:科技...
01 Micro-LED结构与原理 Micro-LED是一种将电能转化为光能的电致发光器件,可以通过巨量转移批量地转移到驱动电路基板上,驱动电路基板可以为硬性或柔性衬底。然后利用物理气相沉积等方法在其上制备保护层和外接电极,最后进行封装。其中LED是由II-VI和III-V族化合物,如GaAs( 砷化镓 )、GaP ( 磷化镓 )、GaAsP( 磷...
近日，以麻省理工为首的研究团队，在全彩叠层结构Micro LED（Stacked RGB Micro LED）方面的研究有新突破。未来，该方案或成为影响Micro LED微型显示应用发展的关键因素。该研究团队开发了全彩垂直叠层结构的Micro LED，分辨率高达5100PPI，尺寸仅为4μm，号称是目前所知拥有最高阵列密度和最小尺寸的Micro LED。产品...
Micro LED display，则是底层用正常的CMOS集成电路制造工艺制成LED显示驱动电路，然后再用MOCVD机在集成电路上制作LED阵列，从而实现了微型显示屏。2、Micro LED工作原理 同LED一样，Micro LED典型结构是一个半导体器件，由直接能隙半导体材料构成。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，...