2 Micro LED典型结构 PN接面二极管,由直接能隙半导体材料构成。当上下电极施加一顺向偏压于μLED,致使电流通过时,电子、电洞对于主动区(Active region) 复合,而发射出单一色光。μLED发光频谱其主波长的半高全宽FWHM仅约20nm,可提供极高的色饱和度,通常可大于120%NTSC。 且自2008年后LED光电转换效率大幅提高,10...
Micro LED显示技术主要采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例,其像素单元结构从下至上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱(MQW)的有源层、0.25μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。当像素单元加上正向偏电压时,P型GaN接触层的空穴和N型GaN层...
芯片结构和封装方式直接决定了Micro LED显示产品的性能,目前行业内采用的芯片结构主要有正装结构、倒装结构和垂直结构,对比三种结构可知,倒装芯片发光效率高、散热性好、可靠性高、量产能力强,更适用Micro LED显示产品。Micro LED的常用封装方式有SMD单像素封装、IMD多合一封装和COB封装,三种封装方式中,COB封装集成度最高...
Micro-LED显示技术就是在LED的基础上进行微缩化与矩阵化,其单个发光单元尺寸在50 μm以下,且较高密度地集成在芯片上。 Micro-LED芯片可分为正装结构、倒装结构、垂直结构等三种主要的结构。为进一步提高性能,还可加入量子点、光栅、荧光陶瓷、光子晶体、分布式布拉格反射镜等附加结构。 02 Micro-LED技术 近年来,Micr...
1.1 Micro-LED的结构与工艺 Micro-LED的制备工艺与传统的LED制备工艺有一定的相关性。Micro-LED的衬底可以是硅(Si)衬底、碳化硅(SiC)衬底、蓝宝石衬底等。以基于蓝宝石衬底生长的GaN基顶发射的Micro-LED为例,其制备工艺流程如下: 首先,通过金属有机化学气相沉积...
Micro-LED一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列,是当今国际最前沿的显示技术之一。相比于LCD和OLED,Micro-LED具有很多优势,如效率高、耐候性好、寿命长、高分辨率、结构简单等。 一、地Micro LED两大增长机遇 Micro-LED 凭借其优异技术性能,可广泛应用于手机、平板、笔记本电脑、电视、户外显示器等领域,应用范围涵盖了...
硅基Micro LED的结构主要包括LED芯片、电极和封装等组成部分。LED芯片是硅基Micro LED的核心部分,它采用硅基材料作为基底,通过外延生长和微细加工技术制备而成。电极是为了提供电流和控制光的发射,一般采用金属材料制作。封装是为了保护LED芯片和电极,常用的封装材料有环氧树脂和玻璃等。 二、制备工艺 硅基Micro LED的...
Micro LED Display的显示原理,是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,其尺寸仅在1-10μm等级左右;后将Micro LED批量式转移至电路基板上,其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上;再利用物理沉积制程完成保护层与上电极,即可进行上基板的封装,完成一结构简单的MicroLED显示。
Micro LED显示技术是指晶粒尺寸小于50μm的LED,由数百万个Micro级别的LED组成,是将成长于原生基板上微米等级RGB三色LED芯片搬运至显示基板上,矩阵排列RGB像素经由定址控制其亮暗程度而行程全彩化。 TFT-LCD、OLED、Mini/Micro LED结构图示 从结构上来看,OLED具有自发光特性,相较厚重的LCD省却了背光模组、彩色滤光片...