当对LED施加正向电压时，通过电极从n型半导体和n型半导体经过分别向空间电荷区注入电子和空穴，并在结区复合发光。Micro-LED显示技术就是在微型发光二极管（LED）的基础上进行微缩化与矩阵化，其单个发光单元尺寸在50 μm以下，且较高密度地集成在芯片上。Micro LED是LED显示屏微缩化至微米级的显示技术，具有两大特...
LED芯片的结构主要有正装结构、倒装结构和垂直结构三种,图1为三种芯片结构示意图。 图1 芯片结构示意图 (1)正装芯片结构,正装芯片是最早出现的芯片结构,该结构中从上至下依次为:电极,P型半导体层,发光层,N型半导体层和衬底,该结构中PN结处产生的热量需要经过蓝宝石衬底才能传导到热沉,蓝宝石衬底较差的导热性能导致...
面临Micro LED难以突破的巨量转移痛点,华引芯选择Die-to-Wafer Bonding转移方案,通过新型LED芯片结构设计及改进工艺等方法提升EQE,有效解决当前Micro LED面临的巨量转移难度高、芯片效率低下等技术瓶颈问题,大幅提升产品良率及性能,为后续量产商用奠定基础。 7. 深圳市思坦科技有限公司 sitan-micro-led.com 思坦科技成立...
Micro LED显示技术主要采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例,其像素单元结构从下至上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱(MQW)的有源层、0.25μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。当像素单元加上正向偏电压时,P型GaN接触层的空穴和N型GaN层...
像素结构 Micro LED显示一般采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例,Micro LED像素单元结构从下往上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱(MQW)的有源层、0.25μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。像素单元加正向偏电压时,P型GaN接触层的空穴和N...
文章采用在蓝宝石衬底上外延而成的蓝色LED晶圆作为实验材料,主要结构包括730 nm的P型氮化镓,9对量子阱,2 μm的N型氮化镓和1.8 μm的U型氮化镓。 2. 实验方案 图2:制备过程示意图 整体芯片采用共阴极结构,芯片中央仅留下台面结构和沟...
Micro-LED芯片可分为正装结构、倒装结构、垂直结构等三种主要的结构。为进一步提高性能,还可加入量子点、光栅、荧光陶瓷、光子晶体、分布式布拉格反射镜等附加结构。 02 Micro-LED技术 近年来,Micro-LED已成为显示行业热点研究领域之一。尽管该领域具有巨大的潜力,但Micro-LED显示想要商业化还面临着诸多挑战,如 : (1)...
Micro-LED芯片可分为正装结构、倒装结构、垂直结构等三种主要的结构。为进一步提高性能，还可加入量子点、光栅、荧光陶瓷、光子晶体、分布式布拉格反射镜等附加结构。三、Micro LED技术 Micro-LED的显示技术链可分为芯片端技术、共性技术、装备技术以及显示端技术四大类，如下图所示。四、Micro LED技术难点 尽管Micro ...
SMD结构: (表面贴装器件): SMD是将芯片采用回流焊的形式焊接在-一个小的PCB板上,厂商提供的都是4.0x4.0mm的焊盘并用树脂固定的LED。常用于侧背光和彩屏产品。 LAMP结构:原理同SMD封装原理雷同,只是外形结构有差异,它主要是有两个支架PIN脚。亮度范围100-1500mcd, 主要用于侧背光产品。