面临Micro LED难以突破的巨量转移痛点,华引芯选择Die-to-Wafer Bonding转移方案,通过新型LED芯片结构设计及改进工艺等方法提升EQE,有效解决当前Micro LED面临的巨量转移难度高、芯片效率低下等技术瓶颈问题,大幅提升产品良率及性能,为后续量产商用奠定基础。 7. 深圳市思坦科技有限公司 sitan-micro-led.com
LED芯片通常由衬底、P型半导体层、N型半导体层、P-N结和正负电极组成,当在正负电极之间加正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子在P-N结处复合,电能转换为光能,发出不同波长的光。LED芯片的结构主要有正装结构、倒装结构和垂直结构三种,图1为三种芯片结构示意图。图...
Micro-LED显示技术就是在微型发光二极管(LED)的基础上进行微缩化与矩阵化,其单个发光单元尺寸在50 μm以下,且较高密度地集成在芯片上。 业内不同公司对 Micro LED 的定义不同,PlayNitride 和 Sony 公司定义 LED 芯片尺 寸小于 50μm,或发光区域小于 0.003mm²称之为 Micro LED,介于普通 LED 和 Micro LED...
此外，Micro LED阵列采用了一种创新的连接方式。通过垂直交叉布置的正负栅状电极与每一颗Micro LED的正负极相连通，使得显示屏能够通过按特定顺序激活电极线，采用扫描技术来逐一点亮Micro LED，从而实现影像的清晰显示。Micro-LED工艺探秘 Micro-LED，这一通过薄膜化、微小化和阵列化技术精心打造的LED结构，其尺寸范畴...
Micro-LED芯片可分为正装结构、倒装结构、垂直结构等三种主要的结构。为进一步提高性能,还可加入量子点、光栅、荧光陶瓷、光子晶体、分布式布拉格反射镜等附加结构。 02 Micro-LED技术 近年来,Micro-LED已成为显示行业热点研究领域之一。尽管该领域具有巨大的潜力,但Micro-LED显示想要商业化还面临着诸多挑战,如 : (1)...
像素结构 Micro LED显示一般采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例,Micro LED像素单元结构从下往上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱(MQW)的有源层、0.25μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。像素单元加正向偏电压时,P型GaN接触层的空穴和N...
Micro-LED芯片可分为正装结构、倒装结构、垂直结构等三种主要的结构。为进一步提高性能，还可加入量子点、光栅、荧光陶瓷、光子晶体、分布式布拉格反射镜等附加结构。三、Micro LED技术 Micro-LED的显示技术链可分为芯片端技术、共性技术、装备技术以及显示端技术四大类，如下图所示。四、Micro LED技术难点 尽管Micro ...
Micro OLED是无机半导体材料与有机OLED材料结合,生产流程是将OLED发光模块沉积至单晶硅衬底构成完整显示模组。其器件结构由驱动背板和OLED前端两部分组成: ► 驱动背板:Micro OLED不同于传统OLED的外置驱动芯片,通过CMOS工艺将驱动芯片包含的不同功能模块(包括时序控制模块、行列驱动电路、电源管理模块等)和TFT像素阵列电...
Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置.pdf,一种MicroLED芯片结构及其制备方法、显示装置,该芯片结构包括:第一衬底;反射镜,设置在第一衬底上;外延结构,设置在反射镜的表面上,包括位于外延结构顶部的n‑GaN层,用于发出光信号;钝化层,覆盖外延结构侧壁,并覆盖