华日355nm皮秒紫外激光器FTO钙钛矿光伏电池ITO激光刻蚀玻璃划线 ￥40.00万 本店由百捷购运营支持 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 型号 PINE3 数量 1台 封装 铝壳 波长 355nm 输出功率 10/20/30W 重复频率 400k-2M Hz 脉冲宽度 <10ps 批号 202207 光束质量 M²<1.2 光斑圆度 ≥90...
Low-K材料难以用普通的金刚石刀轮进行切割，原因是金刚石刀轮直接作用会导致Low-K材料的飞溅和外观不良，如崩缺、裂纹、钝化、金属层掀起等现象。因此需先用激光去除硅晶圆表面的Low-K层，之后用刀轮切割硅等衬底材料。目前主流的low-k层去除方式是使用激光开槽技术，通过光路系统将光斑整形成特定的形貌,将激光聚焦...
在π激光开槽后,使用磨轮刀片实施阶梯切割。 Low-k层和金属线路的放大照片 只出现很微小的崩裂和薄膜剥落现象。 设备 追求加工精度和操作便利性 由于在适用于300 mm晶片的全自动激光切割机DEL7160上采用了非发热加工方式即短脉冲激光切割技术,来去除切割道上的Low-k膜及铜等金属布线,所以能够在开槽加工过程中更大...
Low-K材料难以用普通的金刚石刀轮进行切割,原因是金刚石刀轮直接作用会导致Low-K材料的飞溅和外观不良,如崩缺、裂纹、钝化、金属层掀起等现象。因此需先用激光去除硅晶圆表面的Low-K层,之后用刀轮切割硅等衬底材料。 目前主流的low-k层去除方式是使用激光开槽技术,通过光路系统将光斑整形成特定的形貌,将激光聚焦...
Low-K激光开槽工艺优势 1、激光脉冲宽度(皮秒/ps) 热影响 皮秒激光的先天优势,可将热影响区域降至2μm以内。 激光开槽SEM图像 终端客户针对TI(德州仪器)的某些产品做过对比,有些产品的PATTERN采用UV laser方案很容易爆点,有些位置(淡绿色非金属区)会在表面形成炸点,无法开槽。
Low-k激光开槽。逆势而上,今年主攻Low-k,氮化镓,碳化硅类wafer磨切代工 #芯片 #激光切割 - 中芯集成-chnchip 小向于20230802发布在抖音,已经收获了117个喜欢,来抖音,记录美好生活!
紫外皮秒激光在半导体low-k开槽应用。#激光切割 半导体制成技术及工艺无论在什么阶段都是行业热门话题及研究方向,随着新一代集成电路中尺寸降低,芯片集成密度提高,导致金属互连线的寄生电阻效应和寄生电容效应愈来愈严重,最终发热量增加影响芯片性能工作效率降低。 降低集成电路中使用的介电材料的介电常数,可以减少集成...
证券时报e公司讯,大族半导体今日官微消息,大族半导体凭借在激光微加工领域的积淀,自2018年起便在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性成果。近期,公司隆重推出全新一代全自动晶圆激光开槽设备—GV-N3242系列。该设备在开槽质量、开槽精度、洁净度管控以及材料兼容性方面的大幅跃升,已圆满通过客户严苛的技术...
目前主流的low-k层去除方式是使用激光开槽技术,通过光路系统将光斑整形成特定的形貌,将激光聚焦于材料表面达到特定槽型,并利用超快激光极高的峰值功率,将low-k层瞬间汽化,没有中间过程,从而极大的减少热影响区,是一种先进的激光“冷” 加工工艺制程。
Low-k晶圆加工工艺流程 全自动晶圆激光开槽设备 大族半导体凭借在激光微加工领域的实践经验和理论基础,于2018年在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性进展。同步研发推出紫外纳秒加工方案,可以在保证槽型满足需要的提前下,带来更高的加工效率,陆续得到行业标杆客户的高度认可。