Low-K晶圆加工工艺流程 全自动晶圆激光开槽设备 大族半导体凭借在激光微加工领域的实践经验和理论基础，于2018年在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性进展。基于材料损伤的基本原理，选用特殊脉冲宽度激光器，利用平顶光整形和光斑形状整形等多种手段，开发出更具竞争力的工艺效果。同步研发推出紫外纳秒加工...
Low-k晶圆加工工艺流程 全自动晶圆激光开槽设备 大族半导体凭借在激光微加工领域的实践经验和理论基础,于2018年在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性进展。同步研发推出紫外纳秒加工方案,可以在保证槽型满足需要的提前下,带来更高的加工效率,陆续得到行业标杆客户的高度认可。 应用领域 半导体激光开槽机是为...
现在市场上主流的Low-k去除技术是激光开槽技术。激光开槽技术是将短脉冲激光聚焦到晶圆表面,脉冲激光被Low-K层和铜质材料持续吸收,当吸收一定能量后,Low-K层和铜质材料会被瞬间汽化或熔化,从而达到材料去除的效果。 创新性Low-K材料激光加工工艺方案 双细线加工 + 双宽线开槽(Dual Narrow trenching+ Dual Wide Lase...
Low-k晶圆加工工艺流程 全自动晶圆激光开槽设备 大族半导体凭借在激光微加工领域的实践经验和理论基础,于2018年在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性进展。同步研发推出紫外纳秒加工方案,可以在保证槽型满足需要的提前下,带来更高的加工效率,陆续得到行业标杆客户的高度认可。 应用领域 半导体激光开槽机是为...
Low-k晶圆加工工艺流程 全自动晶圆激光开槽设备 大族半导体凭借在激光微加工领域的实践经验和理论基础,于2018年在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性进展。同步研发推出紫外纳秒加工方案,可以在保证槽型满足需要的提前下,带来更高的加工效率,陆续得到行业标杆客户的高度认可。
紫外皮秒激光在半导体low-k开槽应用 半导体制成技术及工艺无论在什么阶段都是行业热门话题及研究方向,随着新一代集成电路中尺寸降低,芯片集成密度提高,导致金属互连线的寄生电阻效应和寄生电容效应愈来愈严重,最终发热量增加影响芯片性能工作效率降低。 降低集成电路中使用的介电材料的介电常数,可以减少集成电路的漏电...
半导体low-k晶圆开槽技术,助力集成电路“芯”发展 随着半导体制程的不断进步,集成电路的尺寸愈来愈小、芯片的集成密集度不断提高,导致金属互连线的寄生电阻效应和寄生电容效应愈来愈严重,进而使芯片的工作频率无法再提升,这种情况称之为阻容延时(又叫RC延时,RC Delay)。RC延时不仅阻碍工作频率,同时也会增加电路功耗...
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