华日355nm皮秒紫外激光器FTO钙钛矿光伏电池ITO激光刻蚀玻璃划线 ￥40.00万 本店由百捷购运营支持 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 型号 PINE3 数量 1台 封装 铝壳 波长 355nm 输出功率 10/20/30W 重复频率 400k-2M Hz 脉冲宽度 <10ps 批号 202207 光束质量 M²<1.2 光斑圆度 ≥90...
Low-K材料难以用普通的金刚石刀轮进行切割，原因是金刚石刀轮直接作用会导致Low-K材料的飞溅和外观不良，如崩缺、裂纹、钝化、金属层掀起等现象。因此需先用激光去除硅晶圆表面的Low-K层，之后用刀轮切割硅等衬底材料。目前主流的low-k层去除方式是使用激光开槽技术，通过光路系统将光斑整形成特定的形貌,将激光聚焦...
Low-k晶圆加工工艺流程 全自动晶圆激光开槽设备 大族半导体凭借在激光微加工领域的实践经验和理论基础,于2018年在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性进展。同步研发推出紫外纳秒加工方案,可以在保证槽型满足需要的提前下,带来更高的加工效率,陆续得到行业标杆客户的高度认可。 应用领域 半导体激光开槽机是为...
如上图所示,激光加工Low-K开槽的加工方式是先用Dual narrow方式在切割道内部切两条细保护槽(Trenching),再用Wide beam方式进行宽度开槽(Grooving)。 Low-k晶圆加工工艺流程 全自动晶圆激光开槽设备 大族半导体凭借在激光微加工领域的实践经验和理论基础,于2018年在国内率先进行Low-K开槽关键技术的研发并取得突破性进展。
现在市场上主流的Low-k去除技术是激光开槽技术。激光开槽技术是将短脉冲激光聚焦到晶圆表面,脉冲激光被Low-K层和铜质材料持续吸收,当吸收一定能量后,Low-K层和铜质材料会被瞬间汽化或熔化,从而达到材料去除的效果。 创新性Low-K材料激光加工工艺方案 双细线加工 + 双宽线开槽(Dual Narrow trenching+ Dual Wide Lase...
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半导体激光开槽机是为半导体硅晶圆Low-K材料激光开槽设计,适用范围拓展到金属膜以及GaN/Si晶圆激光开槽、硅晶圆、钽酸锂晶圆以及氮化镓晶圆切割等。 设备优势 ● 支持全自动、半自动功能,涂胶、切割任意工位抽检,优化动作流程,保证效率始终最优; ● 可以实时监控所有Wafer以及整个系统流程及状态; ...
晶圆low-k膜激光开槽时要旋转是为了提升均匀性。激光开槽时，旋转晶圆可以使激光束在晶圆上的照射位置均匀分布，从而提高开槽的均匀性。这样可以确保互连线的质量和可靠性。
紫外皮秒激光在半导体low-k开槽应用 半导体制成技术及工艺无论在什么阶段都是行业热门话题及研究方向,随着新一代集成电路中尺寸降低,芯片集成密度提高,导致金属互连线的寄生电阻效应和寄生电容效应愈来愈严重,最终发热量增加影响芯片性能工作效率降低。 降低集成电路中使用的介电材料的介电常数,可以减少集成电路的漏电...
1.一种晶圆low-k膜激光开槽设备,包括底板(1),其特征在于:所述底板(1)的顶部分别固定连接有方框块(2)、支撑板(3)、支撑台(4)和喷胶机(5),所述方框块(2)的顶部分别固定连接有第一固定板(6)、连接板(7)、切割箱(8)和放置台(45),所述切割箱(8)的顶部固定连接有第一驱动电机(9),所述第一驱动电机(...