答:最常见的情况多由于外部瞬变使器件管脚的电压超过电源电压或低于地,主要包括:ESD现象、瞬时的电源干扰、电感感应回冲以及快速转换信号开关切换等。 参考资料 【1】The Art of Analog Layout ,Second Edition——Alan Hastings 【2】CMOS 集成电路闩锁效应——温德通著
Latch-up(闩锁效应)是CMOS集成电路中因寄生双极型晶体管形成正反馈回路,导致电源与地之间出现低阻抗通路的现象,可能引发器件功能异常或永久损坏。其触发条件包括电压瞬变、电流过冲或外界干扰等。预防措施包括使用保护电路、优化版图设计(如增加阱接触、保护环)等。 1. **定义**:Latch-up是CMOS工艺中寄生PNPN结构(...
闩锁效应(Latch-up)详解 在CMOS集成电路中,闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应(Latch-up),以及有效抑制闩锁效应的方法。 一、背景知识 (1)双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT) 图1 NPN型BJT的结构示意图、管芯剖面图和NPN型符号。[Copy from 电子工程世界] 图1展示了典型的N...
CMOS 中的闩锁效应(latch-up)的来源 具体的避免 latch-up 的方法 01 - 易产生latch-up结构图解 ☆典型的NMOS PMOS结构: NMOS剖面图 PMOS剖面图 ☆拼在一起: ☆再画出里面的产生闩锁效应的寄生BJT,横向BJT会导致闩锁效应,其中R3不一定有。 ☆可以画出导致闩锁效应的电路图,一旦这个电路导通就会一直导通: 03 ...
闩锁效应是指在CMOS集成电路中寄生的PNP和NPN双极型晶体管相互影响而产生的一种低阻抗通路，从而产生大电流。由于正反馈作用，该状态会被持续维持（即“闩锁”），从而导致集成电路失效，严重时可能造成器件烧毁。Latch up标准及测试方法 常见测试标准 JESD78与AEC-Q100-004 测试方法 闩锁测试实际是通过电流脉冲激励于...
Latch up:即闩锁效应,又称自锁效应、闸流效应,它是由寄生晶体管引起的,属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流,这不仅能造成电路功能的混乱,而且还会使电源和地线间短路,引起芯片的永久性损坏。防止:在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触。
ESD(静电放电)是由于静电积累导致的电荷快速转移现象;Latch-up(闩锁效应)是CMOS电路中寄生结构引发的大电流导通状态。 1. **ESD(Electrostatic Discharge)**: - **含义**:静电放电是静电电荷在不同电势物体间突然平衡的过程,常见于集成电路制造或操作中。 - **原因**:人体、工具等带电体与器件接触时放电,...
Latchup就是闩锁效应,它是CMOS工艺所特有的寄生效应,是指在CMOS电路中,电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路,低阻通路会在电源和地之间形成大电流,可能会使芯片永久性损坏。
Latch Up效应的主要原因有两个: 2.1 器件内部结构 CMOS器件中的PNPN结构是Latch Up效应的主要原因之一。当器件内部的PNP晶体管和NPN晶体管同时进入饱和状态时,就会形成一个正反馈回路,导致电流无限增大。 2.2 外部环境因素 外部环境因素也可以引起Latch Up效应。例如,电压过大、电流过大、辐射、温度过高等都可能导致...