擎住效应曾经是限制IGBT电流容量进一步提高的主要因素之一,但经过多年的努力,自20世纪90年代中后期开始,这个问题已得到了极大的改善,促进了IGBT研究和制造水平的提高。 4预防方法编辑 为了防止这种关断过程中出现擎住效应,一方面应在IGBT集电极C-发射极E两端并联接入一个电容,减小关断时的duCE/dt,同时也可考虑增大图1...
Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n...
所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。 简单讲,是一个非通即断的...(拖尾电流, tailing current),影响了器件的关断时间及工作频率。这个可是开关器件的大忌啊,所以又引入了一个结构在P+与N-dr...
Latchup就是闩锁效应,它是CMOS工艺所特有的寄生效应,是指在CMOS电路中,电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路,低阻通路会在电源和地之间形成大电流,可能会使芯片永久性损坏。
1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致 2020-12-23 16:06:44 寄生电路的效应:Latch-Up(锁定) Latch-Up(锁定)是CMOS存在一种寄生电路的效应,它会导致VDD和VSS短路,使得晶片损毁,或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应...
所以理想情况下,发生Latch-up效应的充分必要条件是α1 α2=1,如果我们换算成β(共发射机电流放大系数),根据β=α/(1-α),得出必要条件为β1*β2=1。当然实际情况是我们还要考虑Well和Sub的阻值,所以我们实际情况发生栅锁效应的条件是β1*β2>>1。
1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路。 Latch up是指CMOS晶片中,在电源VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND之间产生大电流...
闩锁效应:指CMOS场效应管电路中,寄生可控硅结构被触发导通,在电源和地间存在一个低阻抗大电流通路,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路。 Latch up:指CMOS场效应管晶片中,在电源VDD和地线GND(VSS)间,因寄生PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND间产生大电流; ...
Based upon these values, it is demonstrated that, by using P-base concentration of 5x10cm, the sum of the current gains (α+α) can be made less than unity in the IGBT mode of operation to suppress latch-up. This results in a significant enhancement of the forward biased safe operating...
从Snap-back曲线中可以看到有两个拐点(Knee-point),一个是switch-point (Vs, Is),一个是Hold-point (Vh, Ih)。这两个点上的dI/dV=0(也就是切线与X轴平行)。这两个点也是用来评估Latch-up特性的主要考量。 栅锁效应的触发机制(很重要哦):