擎住效应曾经是限制IGBT电流容量进一步提高的主要因素之一,但经过多年的努力,自20世纪90年代中后期开始,这个问题已得到了极大的改善,促进了IGBT研究和制造水平的提高。 4预防方法编辑 为了防止这种关断过程中出现擎住效应,一方面应在IGBT集电极C-发射极E两端并联接入一个电容,减小关断时的duCE/dt,同时也可考虑增大图1...
Latch Up(闩锁效应)是在CMOS电路中存在的一种重要现象。 首先,从本质上来说,闩锁效应是一种由于CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导通而产生的现象。这种寄生可控硅结构实际上是由双极晶体管组成的。当这一结构被导通时,在电源和地之间会形成一个低阻抗的大电流通路,这就可能导致电路出现严重的问题。 从电路构...
Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致…
Latchup就是闩锁效应,它是CMOS工艺所特有的寄生效应,是指在CMOS电路中,电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路,低阻通路会在电源和地之间形成大电流,可能会使芯片永久性损坏。
1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致 2020-12-23 16:06:44 寄生电路的效应:Latch-Up(锁定) Latch-Up(锁定)是CMOS存在一种寄生电路的效应,它会导致VDD和VSS短路,使得晶片损毁,或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应...
MOS管的结构与latchup的形成原因 描述 一般Fabless公司设计的芯片在工程批回来之后,都会做芯片级的ESD测试和latchup等测试,对很多客户朋友来说,有可能对latchup稍微陌生,本篇文章将简要介绍latchup。 latchup的中文译名为闩锁或闩锁效应,要想了解清楚latchup,需要先了解MOS管的结构。
IGBT是一种电压驱动的全可控器件,由RDB结构和MOS管的物理结构组成。它是一种高功率半导体开关,可用于各种应用。
所以理想情况下,发生Latch-up效应的充分必要条件是α1 α2=1,如果我们换算成β(共发射机电流放大系数),根据β=α/(1-α),得出必要条件为β1*β2=1。当然实际情况是我们还要考虑Well和Sub的阻值,所以我们实际情况发生栅锁效应的条件是β1*β2>>1。
Power Semiconductor DeviceIGBTNon-Latch-UpIEGTNPT-IGBTFS-IGBTpin DiodeBipolar TransistorMilestones along the IGBT development through the last 25 years (1984-... N Tokura - 《電気学会研究会資料. efm, 電子材料研究会》 被引量: 0发表: 2009年 Analysis of High Temperature Characteristics and Latch-...
从Snap-back曲线中可以看到有两个拐点(Knee-point),一个是switch-point (Vs, Is),一个是Hold-point (Vh, Ih)。这两个点上的dI/dV=0(也就是切线与X轴平行)。这两个点也是用来评估Latch-up特性的主要考量。 栅锁效应的触发机制(很重要哦):