Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致…
擎住效应曾经是限制IGBT电流容量进一步提高的主要因素之一,但经过多年的努力,自20世纪90年代中后期开始,这个问题已得到了极大的改善,促进了IGBT研究和制造水平的提高。 4预防方法编辑 为了防止这种关断过程中出现擎住效应,一方面应在IGBT集电极C-发射极E两端并联接入一个电容,减小关断时的duCE/dt,同时也可考虑增大图1...
Latch Up(闩锁效应)是在CMOS电路中存在的一种重要现象。 首先,从本质上来说,闩锁效应是一种由于CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导通而产生的现象。这种寄生可控硅结构实际上是由双极晶体管组成的。当这一结构被导通时,在电源和地之间会形成一个低阻抗的大电流通路,这就可能导致电路出现严重的问题。 从电路构...
过压或过流:突发的过压或过流情况可能导致器件中晶体管同时导通,触发Latch-Up效应。 电磁干扰:外部电磁场或射频干扰可能干扰器件正常工作,导致Latch-Up发生。 温度变化:温度变化会影响晶体管参数,使得在特定条件下容易触发Latch-Up。 设计缺陷:不合理的布局、接线或材料选择可能增加Latch-Up的风险,如接口电阻不足、功...
1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致 2020-12-23 16:06:44 寄生电路的效应:Latch-Up(锁定) Latch-Up(锁定)是CMOS存在一种寄生电路的效应,它会导致VDD和VSS短路,使得晶片损毁,或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应...
MOS管的结构与latchup的形成原因 描述 一般Fabless公司设计的芯片在工程批回来之后,都会做芯片级的ESD测试和latchup等测试,对很多客户朋友来说,有可能对latchup稍微陌生,本篇文章将简要介绍latchup。 latchup的中文译名为闩锁或闩锁效应,要想了解清楚latchup,需要先了解MOS管的结构。
6)使nmos尽量靠近GND,pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能 7)除在I/O处需采取防Latch up的措施外,凡接I/O的内部mos 也应圈guard ring。 8)I/O处尽量不使用pmos(nwell) 创建于2020-02-20 发送到邮箱 | +1 赞0 收藏 | 转发至: 相关...
IGBT是一种电压驱动的全可控器件,由RDB结构和MOS管的物理结构组成。它是一种高功率半导体开关,可用于各种应用。
讲师:白纪龙 资深工程师 课程介绍 该课程被包含在以下专栏中 老白硬件全路线学习P8_SCR,TRIAC,IGBT,DIAC,UJT等半导体功率器件深度分析 1.0共105个课时·1900人已学习 ￥399.00原价￥1565.00 专栏课程 写在课程之前的话以及一些思考 5.01900人已学习 P8_第1集_半导体功率器件的本质分析与概述 ...
闩锁效应(latch) Latch up 的定义,Latch up 的原理,详细的讲解了闩锁效应,值得一看 上传者:evah_0525时间:2013-10-15 600V Trench IGBT in Comparison with Planar IGBT.pdf IGBT 是当下研究热点功率器件,该文章介绍了IGBT的基础知识和应用,值得学习和参考 ...