闩锁效应(Latch-up)原理及其抑制方法解析 一、闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的,在两个管子的电流放大系数均大于1时,电流在这两个管子构成的回路中不停地被放大,从而导致管子承受的电流过大而烧毁芯片的一种现象。 二、闩锁效...
从寄生可控硅的击穿特性中可以看出,如果电源电流小于可控硅的维持电流,那么即使寄生可控硅有触发的机会,也不能维持闩锁,可通过加限流电阻来达到抑制闩锁的目的。 综上所述,CMOS电路具有其它电路无法比拟的低功耗的优点,是在ULSI领域最有前途的电路结构。但传统CMOS电路的工艺技术会产生与生俱来的闩锁效应(当然必须满足...
用金掺杂或中子辐射技术,但此方法不易控制且也会导致漏电流的增加。 (2) 倒转阱技术,可以减小寄生三极管的阱电阻,防止寄生三极管EB结导 通。倒转阱如下图所示: (3) 另一种减少闩锁效应的方法,是将器件制作于重掺杂衬底上的低掺杂外 延层中。重掺杂衬底提供一个收集电流的高传导路径,降低了RS,若在阱中加入重...