擎住效应曾经是限制IGBT电流容量进一步提高的主要因素之一,但经过多年的努力,自20世纪90年代中后期开始,这个问题已得到了极大的改善,促进了IGBT研究和制造水平的提高。 4预防方法编辑 为了防止这种关断过程中出现擎住效应,一方面应在IGBT集电极C-发射极E两端并联接入一个电容,减小关断时的duCE/dt,同时也可考虑增大图1(b)中门
Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致…
Latch Up(闩锁效应)是在CMOS电路中存在的一种重要现象。 首先,从本质上来说,闩锁效应是一种由于CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导通而产生的现象。这种寄生可控硅结构实际上是由双极晶体管组成的。当这一结构被导通时,在电源和地之间会形成一个低阻抗的大电流通路,这就可能导致电路出现严重的问题。 从电路构...
1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致 2020-12-23 16:06:44 寄生电路的效应:Latch-Up(锁定) Latch-Up(锁定)是CMOS存在一种寄生电路的效应,它会导致VDD和VSS短路,使得晶片损毁,或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应...
浅谈Latch-up(一) ESD,EOS,Latch-up都是芯片在制造,运输,使用过程中的风险源,他们会对芯片造成不同程度的物理损伤。所以芯片在设计过程中不得不考虑这些因素。前几篇文章都聚焦于ESD防护,这一期讨论芯片Latch-up防护。 一.Latch-up定义 闩锁效应是指体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP组成的电路在一定...
6)使nmos尽量靠近GND,pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能 7)除在I/O处需采取防Latch up的措施外,凡接I/O的内部mos 也应圈guard ring。 8)I/O处尽量不使用pmos(nwell) 创建于2020-02-20 发送到邮箱 | +1 赞0 收藏 | 转发至: 相关...
IGBT是一种电压驱动的全可控器件,由RDB结构和MOS管的物理结构组成。它是一种高功率半导体开关,可用于各种应用。
功能描述IGBT(LowforwardvoltagedropHighswitchingspeedLowtailcurrentLatch-upfreeAvalancherated) Download7 Pages Scroll/Zoom 100% 制造商SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] 网页http://www.siemens.com/ 标志 类似零件编号 - BUP203 制造商部件名数据表功能描述 ...
IGBT 是当下研究热点功率器件,该文章介绍了IGBT的基础知识和应用,值得学习和参考 立即下载 上传者: rainlym 时间: 2021-10-27 CMOS版图设计模拟篇1atch up.ppt CMOS版图设计模拟篇1atch up 立即下载 上传者: weixin_41241296 时间: 2025-03-03 时序...
保护环无助于 Latch up 效应的避免。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具