所以,在质量检测(QUAL测试)中,latch-up是一个必须检查的项目,而且它和静电放电(ESD)防护也是密切相关的。 第一部分 latch up 的原理 现在,让我用最直白的话来解释latch-up的原理:它就是由两个寄生双极型晶体管(transistor)串联起来,每个晶体管的基极和集电极是连在一起的,或者也可以说,一个晶体管的集电极直接...
闩锁效应与“热插拔” 闩锁(Latch-up) 闩锁就是指CMOS器件所固有的寄生可控硅(SCR)被触发导通,在电源与地之间形成低阻抗大电流通路的现象。这种寄生SCR结构存在于CMOS器件内的各个部分,包括输入端、输出端、内部反相器等。当在电源端、输入端或输出端有较强的浪涌冲击时,就可能触发这些可控硅,产生闩锁。当闩锁电流...
* Latch-up 闩锁效应, 又称寄生PNPN效应或可控硅整流器 ( SCR, Silicon Controlled Rectifier ) 效应. 在整体硅的 CMOS 管下, 不同极性搀杂的区域间都会构成P-N结, 而两个靠近的反方向的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管. 因此CMOS管的下面会构成多个三极管, 这些三极管自身就可能构成一个电路. 这就是...
闩锁(Latch-up)的触发条件 触发条件为CMOS电路的输入输出脚或电源地脚上出现一定的电流VLU或电压VLU。很多CMOS器件的Datasheet里都标明允许施加在输入端的电压在VDD+0.3V与VSS-0.3V之间,超过这个值就可能会引发闩锁。另外CMOS器件对于输出端的拉电流和灌电流也有相应的限值规定,超过规定的电流,就不能保证器件应用的...
本发明涉及半导体测试领域,尤其涉及一种闩锁效应的测试结构以及测试方法。 背景技术: 1、闩锁效应(latch-up)广泛存在于cmos电路中,特别是器件中存在pnpn结构时,由于电源信号波动或者静电放电导致的浪涌电流出现时,很容易触发闩锁效应,严重时可能烧毁芯片。闩锁效应发生在i/o区域的风险较大,内部偶尔也有出现。随着工艺制...
Latchup就是闩锁效应,它是CMOS工艺所特有的寄生效应,是指在CMOS电路中,电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路,低阻通路会在电源和地之间形成大电流,可能会使芯片永久性损坏。 阅读全文 推荐器件 更多器件 下载所有器件模型 器件型号数量器件厂商器件描述数据手册ECAD模型风险等...
此外，由于元件结构的特性，所谓的闩锁（Latch-up，LU）效应会造成集成电路在操作时有大电流的现象而引起...
闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 latch up的原理 我用一句最简单的话来...
Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 Latch-up发生的条件: (i)当两个BJT都导通,在VDD和GND之间产生低阻抗通路; (ii) 两个晶体管反馈回路(feedback loop)增益的乘积大于1(\beta_{...
闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 latch up的原理 我用一句最简单的话来...