Latch up是指在CMOS晶片中,由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通使得在电源VDD和地VSS之间产生低阻抗通路,导致VDD和VSS之间产生大电流的一种机制。长时间的大电流将会对芯片产生永久性的损坏。 下面以CMOS中反相器(inverter)为例,详细说明Latch up产生的具体原因(寄生NPN和PNP的导通)。 图1:反相器的切面图及内部寄生三...
闩锁效应(Latch up)是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。 本文首先介绍Latch up的产生原理,接着讨论电路设计上如何避免Latch up,最后简单介绍Latch up测试时designer需要考虑的问题。 Latch up的原理: Latch up是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的寄生n-p-n-p结构产生...
闩锁效应,简称latch-up,是CMOS技术中的一个关键问题,它就像是在NMOS和PMOS之间形成的一个特殊的电路回路。你一听到latch-up,就想象一下这两个晶体管之间的回路,你基本上就掌握了这个概念的精髓。 这个现象之所以重要,是因为它有可能导致整个芯片彻底报废。所以,在质量检测(QUAL测试)中,latch-up是一个必须检查的项...
Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路。 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 Latch-up发生的条件: (i)当两个BJT都导通,在VDD和GND之间产生低阻抗通...
外部环境因素也可以引起Latch Up效应。例如,电压过大、电流过大、辐射、温度过高等都可能导致器件发生Latch Up效应。 3. Latch Up效应的影响 Latch Up效应会导致器件失效,严重影响器件的性能和可靠性。具体影响如下: 3.1 功耗增加 Latch Up效应会使器件处于高电流状态,导致功耗大大增加。这不仅会浪费能源,还会导致器...
latch-up描述Latch up:即闩锁效应,又称自锁效应、闸流效应,它是由寄生晶体管引起的,属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流,这不仅能造成电路功能的混乱,而且还会使电源和地线间短路,引起芯片的永久性损坏。防止:在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触。
闩锁效应(Latch-up)原理解析 一、探讨闩锁效应:该效应本质上源于CMOS电路中,基极与集电极相连接的两个BJT管(即侧面式NPN与垂直式PNP)的回路放大机制。当这两个管子的电流放大系数均超过1时,它们构成的回路会不断放大电流,最终导致管子因承受过大电流而引发芯片烧毁的现象。
Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电… desig...发表于模拟IC设... 简单说一说闩锁效应LUP 伟酱 闩锁效应(latch up) 闩锁效应,简称latch-up,是CMOS技术中的一...
Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 Latch-up发生的条件: (i)当两个BJT都导通,在VDD和GND之间产生低阻抗通路; (ii) 两个晶体管反馈回路(feedback loop)增益的乘积大于1(\beta_{...