Latch up 是指cmos晶片中，在电源power VDD和地线 GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路。Latch up定义 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。随着IC制造...
Latch up是指在CMOS晶片中,由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通使得在电源VDD和地VSS之间产生低阻抗通路,导致VDD和VSS之间产生大电流的一种机制。长时间的大电流将会对芯片产生永久性的损坏。 下面以CMOS中反相器(inverter)为例,详细说明Latch up产生的具体原因(寄生NPN和PNP的导通)。 图1:反相器的切面图及内部寄生三...
外部环境因素也可以引起Latch Up效应。例如,电压过大、电流过大、辐射、温度过高等都可能导致器件发生Latch Up效应。 3. Latch Up效应的影响 Latch Up效应会导致器件失效,严重影响器件的性能和可靠性。具体影响如下: 3.1 功耗增加 Latch Up效应会使器件处于高电流状态,导致功耗大大增加。这不仅会浪费能源,还会导致器...
Latchup就是闩锁效应,它是CMOS工艺所特有的寄生效应,是指在CMOS电路中,电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路,低阻通路会在电源和地之间形成大电流,可能会使芯片永久性损坏。
闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 latch up的原理 我用一句最简单的话来...
闩锁效应(Latch-up)原理解析 一、探讨闩锁效应:该效应本质上源于CMOS电路中,基极与集电极相连接的两个BJT管(即侧面式NPN与垂直式PNP)的回路放大机制。当这两个管子的电流放大系数均超过1时,它们构成的回路会不断放大电流,最终导致管子因承受过大电流而引发芯片烧毁的现象。
Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n...
闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 latch up的原理 我用一句最简单的话来...