闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的...
Latch Up效应是由于CMOS结构中的PNPN四层结构产生的。当PNPN结构中的正向电流和反向电流同时大于一定的阈值时,就会导致PNPN结构中的PNP晶体管和NPN晶体管同时进入饱和状态,形成一个正反馈回路。这个回路会导致电流无限增大,从而造成器件的失效。 2. Latch Up效应的原因 Latch Up效应的主要原因有两个: 2.1 器件内部结...
Latch-up闩锁效应是CMOS电路中一个重要的可靠性问题,它的发生可能会导致电路的永久性损坏。因此,在设计和制造CMOS电路时,工程师会采取多种措施来防止闩锁效应的发生,例如通过改进芯片布局设计、增加保护结构、使用更高质量的材料等方式来降低其发生的风险。©...
Latch up:即闩锁效应,又称自锁效应、闸流效应,它是由寄生晶体管引起的,属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流,这不仅能造成电路功能的混乱,而且还会使电源和地线间短路,引起芯片的永久性损坏。防止:在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触。
闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。CTI华测检测提供完整的半导体产品芯片可靠性试验项目,协助客户通过JEDEC、MIL—STD、AEC-Q等可靠性国际试验标准。
闩锁效应(Latch-up)原理解析 一、探讨闩锁效应:该效应本质上源于CMOS电路中,基极与集电极相连接的两个BJT管(即侧面式NPN与垂直式PNP)的回路放大机制。当这两个管子的电流放大系数均超过1时,它们构成的回路会不断放大电流,最终导致管子因承受过大电流而引发芯片烧毁的现象。
Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n...
闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 latch up的原理 我用一句最简单的话来...