答:最常见的情况多由于外部瞬变使器件管脚的电压超过电源电压或低于地,主要包括:ESD现象、瞬时的电源干扰、电感感应回冲以及快速转换信号开关切换等。 参考资料 【1】The Art of Analog Layout ,Second Edition——Alan Hastings 【2】CMOS 集成电路闩锁效应——温德通著...
Latchup就是闩锁效应,它是CMOS工艺所特有的寄生效应,是指在CMOS电路中,电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路,低阻通路会在电源和地之间形成大电流,可能会使芯片永久性损坏。
闩锁效应(Latch-up)详解 在CMOS集成电路中,闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应(Latch-up),以及有效抑制闩锁效应的方法。 一、背景知识 (1)双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT) 图1 NPN型BJT的结构示意图、管芯剖面图和NPN型符号。[Copy from 电子工程世界] 图1展示了典型的N...
体硅CMOS中的闩锁效应起因于寄生NPN和PNP双极晶体管形成的PNPN 结构，若能使两只晶体管的小信号电流增益之和小于1，闩锁就可防止。一是将双极型晶体管的特性破坏掉，即通过改进CMOS制造工艺，用减少载流子运输或注入的方法来达到破坏双极型晶体管作用的目的，例如，掺金，中子辐射形成基区阻碍电场以及形成肖特基源/漏...
Latch-up闩锁效应是CMOS电路中一个重要的可靠性问题,它的发生可能会导致电路的永久性损坏。因此,在设计和制造CMOS电路时,工程师会采取多种措施来防止闩锁效应的发生,例如通过改进芯片布局设计、增加保护结构、使用更高质量的材料等方式来降低其发生的风险。©...
ESD,EOS,Latch-up都是芯片在制造,运输,使用过程中的风险源,他们会对芯片造成不同程度的物理损伤。所以芯片在设计过程中不得不考虑这些因素。前几篇文章都聚焦于ESD防护,这一期讨论芯片Latch-up防护。 一.Latch-up定义 闩锁效应是指体CMOS集成电路中所固有的寄生NPN和寄生PNP组成的电路在一定条件下被触发而形成低阻...
闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 latch up的原理 我用一句最简单的话来...
闩锁效应(Latch-up)原理及其抑制方法解析 一、闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的,在两个管子的电流放大系数均大于1时,电流在这两个管子构成的回路中不停地被放大,从而导致管子承受的电流过大而烧毁芯片的一种现象。