Latchup就是闩锁效应,它是CMOS工艺所特有的寄生效应,是指在CMOS电路中,电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路,低阻通路会在电源和地之间形成大电流,可能会使芯片永久性损坏。
latch up闩锁效应原理及形成的原因 Latch-up闩锁效应是指在CMOS电路中,由于寄生的PNP和NPN双极性晶体管相互影响而形成的一种现象。具体如下: 1. 低阻抗通路:当两个BJT(双极性晶体管)导通时,会在电源VDD和地线GND之间产生一个低阻抗通路。 2. 大电流流过:这个低阻抗通路会导致VDD和GND之间流过很大的电流,这...
闩锁效应(Latch up)是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。 本文首先介绍Latch up的产生原理,接着讨论电路设计上如何避免Latch up,最后简单介绍Latch up测试时designer需要考虑的问题。 Latch up的原理: Latch up是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的寄生n-p-n-p结构产生...
闩锁效应,简称latch-up,是CMOS技术中的一个关键问题,它就像是在NMOS和PMOS之间形成的一个特殊的电路回路。你一听到latch-up,就想象一下这两个晶体管之间的回路,你基本上就掌握了这个概念的精髓。 这个现象之所以重要,是因为它有可能导致整个芯片彻底报废。所以,在质量检测(QUAL测试)中,latch-up是一个必须检查的项...
闩锁的防止技术 体硅CMOS中的闩锁效应起因于寄生NPN和PNP双极晶体管形成的PNPN 结构，若能使两只晶体管的小信号电流增益之和小于1，闩锁就可防止。一是将双极型晶体管的特性破坏掉，即通过改进CMOS制造工艺，用减少载流子运输或注入的方法来达到破坏双极型晶体管作用的目的，例如，掺金，中子辐射形成基区阻碍电场以及...
PNP2三极管导通(如情况1分析),此情况下,由于Vout端电位过高,导致nmos管漏极与P-sub衬底PN结击穿,形成热载流子效应。使得耗尽区碰撞电离产生的一大部分空穴流入P-sub衬底,形成空穴电流并在Rpw上产生电位,从而使NPN1和NPN2导通,从而进一步加大电流。导致VDD和VSS短路,形成闩锁。
“latch up”闩锁效应是集成电路中的一种常见现象,它可能会导致电路功能异常甚至损坏。以下是对闩锁效应及其解决方法的详细介绍: 一、闩锁效应概述 闩锁效应主要是由于CMOS电路中的PMOS和NMOS晶体管之间的寄生PNP和NPN双极型晶体管相互作用而产生的。当电路中的某个节点受到足够大的电压或电流冲击时,可能会触发这两个...
1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路。 Latch up是指CMOS晶片中,在电源VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND之间产生大电流...
一、闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的,在两个管子的电流放大系数均大于1时,电流在这两个管子构成的回路中不停地被放大,…