Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路。 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 Latch-up发生的条件: (i)当两个BJT都导通,在VDD和GND之间产生低阻抗通...
Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路。 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。 Latch-up发生的条件: (i)当两个BJT都导通,在VDD和GND之间产生低阻抗通...
Latch up是指在CMOS晶片中,由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通使得在电源VDD和地VSS之间产生低阻抗通路,导致VDD和VSS之间产生大电流的一种机制。长时间的大电流将会对芯片产生永久性的损坏。 下面以CMOS中反相器(inverter)为例,详细说明Latch up产生的具体原因(寄生NPN和PNP的导通)。 图1:反相器的切面图及内部寄生三...
闩锁效应(Latch-up)原理解析 一、探讨闩锁效应:该效应本质上源于CMOS电路中,基极与集电极相连接的两个BJT管(即侧面式NPN与垂直式PNP)的回路放大机制。当这两个管子的电流放大系数均超过1时,它们构成的回路会不断放大电流,最终导致管子因承受过大电流而引发芯片烧毁的现象。
ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up),是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下,器件在电源与地之间...
Latch up是指在CMOS晶片中,由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通使得在电源VDD和地VSS之间产生低阻抗通路,导致VDD和VSS之间产生大电流的一种机制。长时间的大电流将会对芯片产生永久性的损坏。 下面以CMOS中反相器(inverter)为例,详细说明Latch up产生的具体原因(寄生NPN和PNP的导通)。
Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管(BJT处于放大状态的条件:发射结正偏,集电结反偏)组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n...
闩锁效应latch up 闩锁效应（latch up）闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了.为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。第一部分 ...
闩锁效应(Latch-up)原理及其抑制方法解析 一、闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的,在两个管子的电流放大系数均大于1时,电流在这两个管子构成的回路中不停地被放大,从而导致管子承受的电流过大而烧毁芯片的一种现象。