KMFN60012M-B214 플래그십 성능 구현을 위한 결합 AI와 5G 시대에 걸맞도록 모바일 디바이스를 지원합니다. D램과 낸드플래시 메모리가 콤팩트한 단일 패키지로 결합되어 플래그십 수...
KMFN60012M是一种集8GB电磁兼容和8GB LPDDR3SDRAM于一体的多芯片封装存储器。KMFN60012M适用于移动通信...
商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 KMFN60012M-B214、 SAMSUNG/三星 商品图片 商品参数 品牌: SAMSUNG/三星 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 8.5V 长度: 7.4mm 宽度: ...
型号 KMFN60012M-B214 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...
KMFN60012M-B214 登录后查看更多信息 登录查看 样例 国内品牌(20) 相同品牌(20) SN74LV40574LVN74LV (德州仪器-TI) PIN TO PIN 相似度 99% SN74LV40574LVN74LV (德州仪器-TI) PIN TO PIN 相似度 98% CD54HC4052 (德州仪器-TI) PIN TO PIN ...
KMFN60012M-B214新年长专内存芯片询盘留言 价格￥10.00 起订量10000件起批 货源所属商家已经过真实性核验 产品型号全新 数量 产品信息 联系方式 品牌 SAMSUNG/三星 型号 K4G80325FBHC25 封装形式 BGA 导电类型 单极型 封装外形 扁平型 集成度 中规模(50~100) ...
8+1以及32+3的一些内存的规格书 H9TQ64A8GTDCUR_Rev1.0.pdf 文件大小:4.03 MB 下载次数:8 附件...
KMFN60012M-B214 产品中心>EMCP>KMFN60012M-B214 KMFN60012M-B214 容量:8 GB 版本:eMMC 5.1 DRAM类型:LPDDR3 速度:1866 Mbps 产品详细 上一个:KMFN60012B-B214 下一个:MT53E256M32D2DS-053 WT:B
KMFN60012M-B214新年好长专内存芯询盘留言 价格￥10.00 起订量10000件起批 货源所属商家已经过真实性核验 产品型号全新 数量 产品信息 联系方式 品牌 SAMSUNG/三星 型号 K4G80325FBHC25 封装形式 BGA 导电类型 单极型 封装外形 扁平型 集成度 中规模(50~100) ...
version:KMFN60012M B214 brand:SAMSUNG package: stagte:sell Technical:search Consultcontact us phone:+86 0755 82988826 mobil:+86 19166208396 QQ: 3628728973 email:3628728973@qq.comSimilar productK4E8E324ED EGCG 8Gb 178FBGA LPDDR3 SAMSUNG brand:SAMSUNG version:K4E8E324ED EGCG Consult Detail K4EBE...