JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated Circuits EIA/JEP 122 —— Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices(硅半导体器件的失效机理和模型) 试验室温度应保持在特定温度的+/- 5℃内 最大电源电压...
本公司生产销售湿热寿命老化箱 老化箱,提供湿热寿命老化箱专业参数,湿热寿命老化箱价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.湿热寿命老化箱 湿热寿命老化箱 品牌德瑞检测|产地广东|价格10800.00元|电源380V|测时间设置0～999Hr|重量318kg|工作室尺寸40*50cm|执行与满足标
JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD47Stress-Test Driven Qualificatio n of In tegrated Circuits EIA/JEP 122Failure Mecha nism and Models for Silicon Semico nductor Devices(硅半导 体器件的失效机理和模型) 试验室温度应保持在特定温度的+/-5C内 最大电源电压应遵守...
1、JESD22-A108-B IC寿命试验标准JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。标准内适用的文件:EIA/JESD 47 Stress-Test Driven Qualification of Integrated CircuitsEIA/JEP 122 Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices(硅半导体器件的失效机理和模型)试验室温度应保持在特定温度的+/- 5内最...
JESD22-A108-B是JESD22-A108-A订订订的修版。 订准内适用的文件: EIA/JESD47Stress-TestDrivenQualificationofIntegratedCircuits—— EIA/JEP122FailureMechanismandModelsforSiliconSemiconductor—— Devices(订订订订订订订订订订订订硅半体器件的失效机理和模型) ...
JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD47 Stress-TestDrivenQualificationofIntegratedCircuits EIA/JEP122 FailureMechanismandModelsforSiliconSemiconductorDevices(硅半导 体器件的失效机理和模型) 试验室温度应保持在特定温度的 +/-5C内 ...
JESD 22_A108_B_2000
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JEDEC STANDARD Temperature, Bias, and Operating Life JESD22-A108-B (Revision of JESD22-A108-A) DECEMBER 2000 JEDEC SOLID STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION
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