一般一些输入参数也许被用来调整控制内部功耗例如电源电压时钟频率输入信号等这些参数也许工作在特定值之外但在应力下会产生可预见的和非破坏性的行为 JESD22-A108-BIC寿命试验标准 JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated ...
JEDEC STANDARD Temperature, Bias, and Operating Life JESD22-A108-B (Revision of JESD22-A108-A) DECEMBER 2000 JEDEC SOLID STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION
JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD47Stress-Test Driven Qualificatio n of In tegrated Circuits EIA/JEP 122Failure Mecha nism and Models for Silicon Semico nductor Devices(硅半导 体器件的失效机理和模型) 试验室温度应保持在特定温度的+/-5C内 最大电源电压应遵守...
(4)偏置最大数目的潜在运行节点potentialoperatingnodes (A)HTOL:typicallyappliedonlogicandmemorydevices.主要应用在逻辑器件和存储器芯片。 (B)LTOL:寻找热载流子相关的失效,typicallyappliedonmemorydevicesordeviceswithsubmicrondevicedimensions. HTRB:hightemperaturereversebias高温反偏试验 (1)反向偏置器件的电源处理junctio...
JEDECSTANDARDTemperatureBiasandOperatingLifeJESD-A108-BRevisionofJESD-A108-ADECEMBER000JEDECSOLIDSTATETECHNOLOGYASSOCIATION
(A) HTOL:typically applied on logic and memory devices.主要应用在逻辑器件和存储器芯片。 (B) LTOL:寻找热载流子相关的失效,typically applied on memory devices or devices with submicron device dimensions. HTRB:high temperature reverse bias高温反偏试验 ...
37.B114AMay2011现行标识可识别性 38.B115AAug2010现行焊球拉脱试验 39.B116AAug2009现行引线键合的剪切试验 40.B117BMay2014现行焊球剪切 41.B118Mar2011现行半导体晶圆以及芯片背面外目检 42.C100/已废止高温连续性 43.C101FOct2013现行静电放电敏感性试验(ESD)场诱导带电器件模型 ...
JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。 标准内适用的文件: EIA/JESD47 Stress-TestDrivenQualificationofIntegratedCircuits EIA/JEP122 FailureMechanismandModelsforSiliconSemiconductorDevices(硅半导 体器件的失效机理和模型) 试验室温度应保持在特定温度的 +/-5C内 ...
JESD22-A108
1、顺序2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.20.21.22.详细如下标准编号A100A101A102A103A104A105A106A107A108A109A110A111A112A113A114A115A117A118A119A120A121A122简称THBACHTSLTCPTCHTOLHASTPCJESD22 标准定义及意义现行版本标准状态标准项目D Jul 2013C Mar 2009D Nov 2010D Dec 2010D Mar 2009C...