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IPD200N15N3GATMA1 商品编号 C5369028 包装方式 编带 商品毛重 0.77克(g) 商品参数 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)150V 属性参数值 耗散功率(Pd)150W 工作温度-55℃~+175℃ 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 ...
IPD200N15N3GATMA1 由Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrscorestaffarrowelement14verical 等渠道进行代购。 IPD200N15N3GATMA1 价格参考￥ 16.905 。 Infineon IPD200N15N3GATMA1 封装/规格: SOT428, MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3。你可以下载 IPD200N15N3GATMA1 中文资料、引脚...
IPD200N15N3GATMA1 制造商: INFINEON(英飞凌) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 提示: 联系在线客服,获得更多IPD200N15N3GATMA1价格库存等采购信息!
IPD200N15N3GATMA1 厂商: EUPEC(英飞凌) 封装: SOT428 描述: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 数据手册: 下载IPD200N15N3GATMA1.pdf 立即购买 数据手册 价格&库存 IPD200N15N3GATMA1 数据手册 切换侧栏 查找 上一页 下一页 / 12 演示模式打开当前在看...
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数据表 FDD86250.pdf IPD200N15N3GATMA1.pdf RoHs 否 否 规格信息 功率耗散(最大值) - 150W(Tc) 技术 - MOSFET(金属氧化物) 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1820pF @ 75V FET类型 - N 通道 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63...
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