Sales Product Name IPD30N06S2L-13 OPN Info IPD30N06S2L13ATMA4 Product Status active and preferred Infineon Package name PG-TO252-3 Standard Package name DPAK Order online Buy online Completely lead free no Halogen free yes RoHS compliant yes Packing Size 2500 Packing Type TAPE & REEL ...
IPD90N10S4L-06 | 汽车MOSFET CYT2B93BACQ0AZSGS | TRAVEO™ T2G CYT2B9 Series BTS452T | 经典PROFET™ 24 V |汽车智能高边开关 IPB80N08S2-07 | 汽车MOSFET CYT2B63BADQ0AZEGST | TRAVEO™ T2G CYT2B6 Series TLE4250-2G | 用于汽车应用的线性稳压器 | OPTIREG™ linear BTS4140N | ...
IPD30N06S2-15IPD30N06S2L-13MOS场效应管 N沟道 55V30A TO-252 深圳市亿科泰电子科技有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.60 IPD30N06S2L-13N沟道场效应管 55V 30A 贴片TO252 2N06L13 深圳市星光盛科技有限公司8年
IPD30N06S2L-13 MOSFET INFINEON 封装TO-252 批次23+价格 ¥ 3.65 ¥ 3.00 ¥ 2.50 起订数 1个起批 50个起批 100个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 177908-1 胶壳及附件 TE/泰科 封装N/A 批次2205+ ¥ 0.65 HT7333-1 集成电路(IC) HOLTEK 封装SOT89SOT23 批次23+ ...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的IPD30N06S2L-13 元器件,主要参数为:IPD30N06S2L13ATMA4_N-Channel 55V 30A(Tc) ±20V 136W(Tc) 13mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO252-3,IPD30N06S2L-13库存充足,购买享优惠!
晶体管/场效应管(MOSFET)/IPD30N06S2L-13-VB 对比 库存类型&价格:原厂代理 参考价(含税价) 500+¥ 1.463 批量议价 原厂代理库存:8000 个(一圆盘有2500个) 年份:- 货期:2-4工作日发货 订货数量: -+ 合计:¥731.5 加入订货单 品牌: VBsemi(微碧半导体)(授权代理) ...
Infineon(英飞凌) 商品型号 IPD30N06S2L-13 商品编号 C536753 商品封装 TO-252-3 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)- 连续漏极电流(Id)- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)- ...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 55V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 30A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 13 毫欧 @ 30A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 80µA
该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB,丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下 电压60V 电流45A 开启电阻 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 阈值电压 1.8V 封装形式 TO252 该N沟道晶体管常用于功率开关和电流控制应用。由于其高电流和低导通电阻的特点,适用于以下领域模块...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 IPD30N06S2L-13、 INFINEON/英飞凌、 TO-252 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON/英飞凌 封装: TO-252 批号: 新批号 数量: 10000 FET类型: N通道 漏源电压(Vdss): 55V 漏极电流(Id): 30A 漏源导通电阻(RDS On): 10.6 m...