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IPD30N06S2L-13原装 IPD30N03S2L-20 IPD30N06S3L-20 贴片TO-252 深圳市万顺升电子有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥3.50 2N06L13 55V 30A TO252-3 MOSFETIPD30N06S2L-13N通道 正品 深圳市福田区栢科达电子商行9年 月均发货速度:暂无记录 ...
型号 IPD30N06S2L-13 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IPD30N06S2L-13 封装: SMD 批号: 24+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 8V 长度: 8.3mm 宽度: 2.2mm 高度: 2.3mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标...
型号 IPD30N06S2L-13 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: IPD30N06S2L-13 封装: TO-252 批号: 23+ 数量: 149460 制造商: INFINEON/英飞凌 数量: 149460 产品种类: 微控制器 -MCU RoHS: 是 最大时钟频率: 20 MHz 程序存储器大小: 4 kB 数据RAM 大小: 192 B ADC分辨率: 8 bit 输入/输出端数量...
IPD30N06S2L-1355V, N-Ch, 13 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™ Summary of Features N-channel Logic Level - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260°C peak reflow 175°C operating temperature Green package (lead free) ...
IPD30N06S2L-13 特征描述 N 通道逻辑电平 - 增强模式 通过汽车 AEC 101 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装(无铅) 超低Rds(on) 100% 经过雪崩测试 优势 55V 时, RDS (on)为世界极低值,采用平面工艺 极高的冲击电流能力...
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该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB,丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下: - 电压:60V - 电流:45A - 开启电阻:24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V - 门源电压范围:±20V - 阈值电压:1.8V - 封装形式:TO252 该N沟道晶体管常用于功率开关和电流控制应用。由于其高电流和低导通电阻的...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号IPD30N06S2L-13-VB 商品编号C7428990 商品封装TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.39克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 45A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@...
该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB,丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下 电压60V 电流45A 开启电阻 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 阈值电压 1.8V 封装形式 TO252 该N沟道晶体管常用于功率开关和电流控制应用。由于其高电流和低导通电阻的特点,适用于以下领域模块...