Sales Product Name IPD30N06S2L-13 OPN Info IPD30N06S2L13ATMA4 Product Status active and preferred Infineon Package name PG-TO252-3 Standard Package name DPAK Order online Buy online Completely lead free no Halogen free yes RoHS compliant yes Packing Size 2500 Packing Type TAPE & REEL ...
IPD30N06S2L-13N沟道MOS管场效应管TO-252 55V 30A 全新原厂厂家 深圳市韦盛半导体有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥2.50 原装正品IPD30N06S2L-13TO252场效应管MOSFET管 电子元器件配单 深圳市华芯源电子有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 ...
该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB,丝印为VBE1638。 其详细参数说明和应用简介如下: - 电压:60V - 电流:45A - 开启电阻:24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V - 门源电压范围:±20V - 阈值电压:1.8V - 封装形式:TO252 该N沟道晶体管常用于功率开关和电流控制应用。由于其高电流和低导通电阻的...
该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB,丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下 电压60V 电流45A 开启电阻 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 阈值电压 1.8V 封装形式 TO252 该N沟道晶体管常用于功率开关和电流控制应用。由于其高电流和低导通电阻的特点,适用于以下领域模块...
参考价(含税价) 2500+¥ 1.463 5000+¥ 1.4098 批量议价 原厂代理库存:8000 个(一整包装有2500个) 年份:24+ 货期:2-4工作日发货 订货数量: -+ 合计:¥3657.5 加入订货单 品牌: VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:IPD30N06S2L-13-VB ...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 55V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 30A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 13 毫欧 @ 30A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 80µA
品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号IPD30N06S2L-13 商品编号C536753 商品封装TO-252-3 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 - 漏源电压(Vdss) - 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) - 属性参数值 功率(Pd) ...
IPD30N06S2L-13 MOSFET INFINEON 封装TO-252 批次23+价格 ¥ 3.65 ¥ 3.00 ¥ 2.50 起订数 1个起批 50个起批 100个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 177908-1 胶壳及附件 TE/泰科 封装N/A 批次2205+ ¥ 0.65 HT7333-1 集成电路(IC) HOLTEK 封装SOT89SOT23 批次23+ ...
IPD30N06S2L-13.pdf RoHs无铅/符合RoHs无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值)136W(Tc)- 技术MOSFET(金属氧化物)- Rds On(Max)@Id,Vgs-13mΩ@30A,10V 漏源极电压Vds-55V Pd-功率耗散(Max)-136W(Tc) 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)1800pF @ 25V- ...
This model is the VBsemi brand N-channel transistor IPD30N06S2L-13-VB, with the silk screen VBE1638. Its detailed parameter description and application introduction are as follows:. . - Voltage: 60V. - Current: 45A. - On resistance: 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V. - Gate-source voltage...