IPD30N06S2L-2355V, N-Ch, 23 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™ Summary of Features N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260°C peak reflow 175°C operating temperature ...
IPD30N06S2L-23原装 IPD30N06S4L-23 IPD30N08S2L-21 贴片TO-252 深圳市万顺升电子有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1.98 IPD30N06S3L-20全新原装IPD30N06S2L-23IPD30N06S4L-23 贴片 IC 广州市金钜盛电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
IPD30N06S2L-23 特征描述 N 通道 - 增强模式 通过汽车 AEC 101 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装(无铅) 超低Rds(on) 100% 经过雪崩测试 优势 55V 时, RDS (on)为世界极低值,采用平面工艺 极高的冲击电流能力
IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon (英飞凌) MOS管 Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC ...
IPD30N06S2L-23 是一款高功率N沟道MOSFET,封装类型为TO-252-2L,专为高密度电源应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS),并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID),且拥有优秀的导通特性,导通电阻仅为15mR(RD(on)),从而大大减少了功率损耗,提高了系统效率。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对...
IPD30N06S2L-23MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms制造商 : Infineon Technologies Corporation 封装/规格 : TO-252 产品分类 : MOSFET Datasheet: IPD30N06S2L-23 Datasheet (PDF) RoHs Status: Rohs 丝印代码: 2N06L23 库存: 10000 Share: Pinterest LinkedIn WhatsApp Facebook Line ...
宽度 IPD30N06S2L-23 SP001061286 零件号别名 330 mg 可售卖地 全国 型号 IPD30N06S2L23ATMA3 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IPD30N06S2L23ATMA3 封装: TO-252-2(DPAK) 批号: 23+ 数量: 30000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管...
Order today, ships today. IPD30N06S2L23ATMA3 – N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 from Infineon Technologies. Pricing and Availability on millions of electronic components from Digi-Key Electronics.
制造商产品型号:IPD30N06S2L-23 制造商:Infineon Technologies(英飞凌) 描述:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 系列:OptiMOS? FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):55V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Tc) ...
型号SQD30N05-20L_GE3IPD30N06S2L-23 唯样编号A-SQD30N05-20L_GE3A-IPD30N06S2L-23 制造商VishayInfineon Technologies 供应商唯样自营唯样自营 分类功率MOSFET功率MOSFET 描述 数据表 SQD30N05-20L_GE3.pdf IPD30N06S2L-23.pdf RoHs无铅/符合RoHs无铅/符合RoHs ...