ParametricsIPD30N06S2-23 Budgetary Price €/1k 0.38 ID (@25°C) max 30 A IDpuls max 120 A Operating Temperature min max -55 °C 175 °C Ptot max 100 W Package DPAK (PG-TO252-3) Polarity N QG (typ @10V) 25 nC ; 32 nC Qualification Automotive RDS (on) (@10V)...
IPD26N06S2L-35 SPD15N06S2L-64 IPD30N08S2L-21 IPD30N06S2-23 深圳市福田区诚彬微电子商行 9年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.31 IPD30N06S2-23全新原装IPD14N06S2-80 IPD25N06S2-40 贴片 IC 深圳市依尚美贸易有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0....
IPD30N06S2-23 特征描述 N 通道 - 增强模式 通过汽车 AEC 101 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装(无铅) 超低Rds(on) 100% 经过雪崩测试 优势 55V 时, RDS (on)为世界极低值,采用平面工艺 极高的冲击电流能力
IPD30N06S2-23-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。该器件具有高电压、高电流和低导通电阻的特点,适用于各种功率控制和开关应用。其TO252封装形式适合于普通焊接工艺,易于安装和使用。 ## 详细参数说明 - **品牌**: VBsemi- **型号**: IPD30N06S2-23-VB- **丝印**: VBE1638- **沟道类型**: N沟道...
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IPD30N06S2-23 Description Standard Packaging Type Standard Application Standard Type Standard Package / Case TO252 Series Standard Features Standard Mounting Type Standard Manufacturing Date Code Standard Cross Reference Standard Product Name Electronic Component IC hip Product type BSZ036NE2LS Package R...
品牌/型号:INFINEON/英飞凌/IPD50N06S2-14 IPD30N06S2-15 IPD30N06S2L-23 种类:绝缘栅MOSFET 材料:P-FET硅P沟道 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IPD50N06S2-14 IPD30N06S2-15 IPD30N06S2L-23 封装外形:SMDSO/表面封装 ...
批号 23+ 数量 12000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 100C 最小电源电压 1V 最大电源电压 7.5V 长度 2.3mm 宽度 3.6mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 IPD30N06S2-15 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...