IPD200N15N3G IPD200N15N3 IPD200N15【供应二三极管】全新原装 深圳市睿轩世纪科技有限公司 11年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥10.00 IPD200N15N3 G 200N15N TO-252-3 N沟道 150V 50A 场效应管 原装 深圳市得天一泰电子有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市...
Produktname IPD200N15N3 G OPN Info IPD200N15N3GATMA1 Produktstatus active Gehäusename PG-TO252-3 Standard Package name DPAK Onlinebestellung Buy online Bleifrei no Halogenfrei yes RoHS konform yes Verpackungsgröße 2500 Verpackungstyp TAPE & REEL Moisture Level 1 Moisture Packing NON...
IPD200N15N3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,立创商城现货销售。IPD200N15N3 G价格参考￥7.75。Infineon(英飞凌) IPD200N15N3 G参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,50A;耗散功率(Pd):150W;阈值电压(Vg
IPD200N15N3 G 与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性,如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。 特征描述 优异的开关性能 世界较低的 (R Ds(on))...
IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G ™ OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V • N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ID 50 A • Very low on-resistance R DS(on) •...
IPD200N15N3 G 由Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 corestaffverical 等渠道进行代购。 IPD200N15N3 G 价格参考￥ 9.3852 。 Infineon IPD200N15N3 G 封装/规格: TO252-3, N沟道 150V <SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>50A</SPAN>。你可以下载 IPD200N15N3 G 中文资料、引脚图...
IPD200N15N3 G 由Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPD200N15N3 G 价格参考￥ 0 。 Infineon IPD200N15N3 G 封装/规格: TO252-3, N沟道 150V <SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>50A</SPAN>。你可以下载 IPD200N15N3 G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 IPD200N15N3、 INFINEON、 TO-252 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 封装: TO-252 批号: 23+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4V ...
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