技术参数 品牌：INFINEON 型号：IPB80N04S2-H4 封装：TO263 批号：22+ 数量：10000 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS：是 安装风格：SMD/SMT 封装/ 箱体：TO-263-3 晶体管极性：N-Channel 通道数量：1 Channel Vds-漏源极击穿电压：40 V Id-连续漏极电流：80 A 1) 电流受键合线限制;当RthJC=0.5K...
型号 IPB80N04S2H4ATMA1 IPB80N04S2-H4 唯样编号 G-IPB80N04S2H4ATMA1 A-IPB80N04S2-H4 制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies 供应商 Arrow 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 数据表 IPx80N04S2-H4.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 IPB80N04S2-H4-VB 商品编号 C7494458 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 2.204克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)100A ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 IPB80N04S2-H4、 INFINEON、 TO263-3 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 封装: TO263-3 批号: 23+ 数量: 5000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 晶...
型号:IPB80N04S2-H4 封装:TO263 批号:22+ 数量:10000 制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS:是 安装风格:SMD/SMT 封装/ 箱体:TO-263-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:80 A 1) 电流受键合线限制;当RthJC=0.5K/W时,芯片能够在25°C下承载200A...
IPB80N04S2-H4OptiMOS㈢-T Power-Transistor由INFINEON原厂生产,采用TO-263封装,批号10+,微芯百年集成电路仓库目前有库存
IPB80N04S2-H4温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准 产品概览 产品型号 IPB80N04S2-H4 现有数量 3,384 制造商 Infineon(英飞凌) 产品类别 自营现货 产品描述 Infineon(英飞凌) IPB80N04S2-H4 原装现货 急速送达 文档与媒体 数据列表 IPB80N04S2-H4 ...
Part Number IPB80N04S2-H4 Quantity Available 3,384 Manufacturer Infineon(英飞凌) Product Category 自营现货 Description Infineon(英飞凌) IPB80N04S2-H4 原装现货 急速送达 Documents & Media Datasheets IPB80N04S2-H4 Product Attributes No dataHot...