唯样商城为您提供Infineon设计生产的IPB80N04S2-04 元器件,主要参数为:IPB80N04S204ATMA2_40V 80A 3.4mΩ 2.1V,4V,IPB80N04S2-04库存充足,购买享优惠!
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 IPB80N04S2-04-VB 商品编号 C19711200 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 1.45克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 属性参数值
唯样编号 K-IPB100N04S204ATMA4 A-IPB80N04S2-04 制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies 供应商 Buerklin 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 数据表 IPBIPP100N04S2-04.pdf IPB80N04S2-04.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗...
型号 IPB80N04S2 上海废旧电子产品回收 LN1152B3 终端收购库存IC 致力工厂及个人积压库存、工厂呆滞处理、退港呆滞;为客户提供快捷、价优、全面的库存处理服务。深圳市富源生电子有限公司是一家经营电子产品,销售和收购工厂及个人积压呆滞物料,我们有优势的销路渠道,一直秉承"芯之所在品质”为目标,“诚信经营,薄利多...
IPB80N04S2-H4 电子管场效应管技术参数-飞弛宏 技术参数 品牌：INFINEON 型号：IPB80N04S2-H4 封装：TO263 批号：22+ 数量：10000 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS：是 安装风格：SMD/SMT 封装/ 箱体：TO-263-3 晶体管极性：N-Channel 通道数量：1 Channel Vds-漏源极击穿电压：40 V Id-连续漏极...
英飞凌IPB80N04S2 - 04 2N0404的OptiMOS ®功率晶体管 翻译结果2复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 Infineon IPB80N04S2-04 2N0404 OptiMOS(R) 力量晶体管 翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 英飞凌 IPB80N04S2-04 2N0404 OptiMOS ® 功率晶体管 ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 IPB80N04S2-H4-VB 商品编号 C7494458 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 2.204克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)100A ...
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IPB80N04S2L03ATMA1 Infineon datasheet PDF, 3 pages, view IPB80N04S2L03ATMA1 User Reference Manual Guide & Specifications online, D2PAK N-CH 40V 80A.
IPB80N04S2-H4 IPP80N04S2 -H4 , IPI80N04S2 -H4 5典型。输出特性 I D = F(V DS ); T j = 25 °C 参数: V GS 300 10 V 7V 6典型。漏源导通电阻 R DS ( ON) = (I D ); T j = 25 °C 参数: V GS 18 250 200 6V 14 150 5.5 V R DS ( ON) [毫瓦] 5.5 V I D [A]...