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IPB80N04S4-03 特征描述 N 通道 - 增强模式 AEC 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保产品(符合 RoHS) 100% 经过雪崩测试 优势 40V 时, RDS (on)为世界极低值 极高的冲击电流能力 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 IPB80N04S4-03-VB 商品编号 C7463462 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 1.9克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)150A ...
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IPB80N04S4-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor 与IPB80N04S4-03相关的IC还有:型号厂商批号封装说明 EL5411T INTERSIL 09+ SOP EL5411T,60MHz轨到轨输入输出运算放大器,60MHz Rail-to-Rail Input-Output Operational Amplifier EL5211 INTERSIL 08+ SOP EL5211,60MHz轨到轨输入输出运算放大器,60MHz Rail-to-...