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IPB80N06S4-07 IPI80N06S4-07 , IPP80N06S4-07 5典型。输出特性 I D = F(V DS ); T j = 25°C ; SMD 参数: V GS 320 10 V 6典型。漏源导通电阻 R DS ( ON) = F(我 D ); T j = 25°C ; SMD 参数: V GS 17 5V 6V 7V 280 8V 15 240 13 200 I D [A] 7V R DS (...
IPB60R380C6 英飞凌 型号 IPB80N06S4L-05 IPB80N06S4L-07 IPB60R380C6 描述 Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。
IPB80N06S4L-07 4N06L07 电子元器件 INFINEON 资料 数据手册 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片...
品牌/型号:INFINEON/英飞凌/IPB80N06S4L-07 品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IPB80N06S4L-07 种类:绝缘栅MOSFET 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 供应商信息 公司地址上海市闵行区纪翟路2788号15幢-104统一社会信用代码913101127878710601
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