型号: IPB100N04S4-H2 批号: 封装: 数量: 1000 QQ: 3527593716 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms...
查看详情 原装FP10R12W1T4 开关电源 功率MOSFET 连接器 压接 直插 ￥1.64 查看详情 原装TLE4961-1K磁性位置传感器 通用 电子材料 电子元器件 ￥1.59 查看详情 异步 存储器 集成电路 IR2233S 栅极驱动器 高端 电源管理 收发器 ￥0.65 查看详情 原装S29GL01GT12DHVV10Flash 通用 电子材料 电子元器件 ￥1.59 ...
型号 IPB100N04S4-H2 简要描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 基本产品编号 IPB100 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上...
IPB100N04S4-H2 概述 OptiMOS-T2 Power-Transistor 的OptiMOS -T2功率三极管 功率场效应晶体管 IPB100N04S4-H2 规格参数 是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合 生命周期:Active零件包装代码:D2PAK 包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4 Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99 ...
IPB100N04S4H2ATMA1 SP000711274 IPB1N4S4H2XT IPB100 单位重量: 4 g 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者...
ParametricsIPB100N04S4-H2 Budgetary Price €/1k0.73 ID(@25°C)max100 A IDpulsmax400 A Operating Temperatureminmax-55 °C 175 °C Ptotmax115 W PackageD2PAK (PG-TO263-3) PolarityN QG(typ @10V)70 nC ; 90 nC QualificationAutomotive ...
**VBsemi IPB100N04S4-H2-VB** **详细参数说明:**- 类型: N沟道场效应管 (N-Channel MOSFET)- 额定电压(VDS): 40V- 最大电流(ID): 180A- 导通电阻(RDS(ON)): 2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压(Vth): 1~3V- 封装: TO263 **应用简介:**该器件适用于需要高电流和低导通电阻的应用,特别...
集成电路-其他集成电路-IPB100N04S4-H2-INFINEON/英飞凌-N/A-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订...
型号 IPB100N04S4-H2 PDF资料 LED光源芯片-LED外延片-IPB100N04S4-H2-INFINEON/英飞凌-TO-263-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用...
型号 IPB100N04S4-H2 技术参数 品牌: Infineon 型号: IPB100N04S4-H2 批号: 19+ 封装: SMD 数量: 68686 QQ: 3021662972 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id...