Sales Product Name IPB100N04S4-H2 OPN Info IPB100N04S4H2ATMA1 Product Status active and preferred Infineon Package name PG-TO263-3 Standard Package name D2PAK Order online Buy online Completely lead free no Halogen free yes RoHS compliant yes Pac...
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IPB100N04S4-H2 IPI100N04S4-H2, IPP100N04S4-H2 OptiMOS®-T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 2.4 100 V R DS(on),max (SMD version) mΩ A I D Features • N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 • AEC qual...
晶体管:IPB100..器件说明:1.IPB100N04S4-H2是一款 40V N-Ch 2.4 mΩ OptiMOS™-T2 汽车MOSFET。特性:N 沟道 - 增强模式通过 AEC 认证MSL1 峰值回流温度高达 2
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IPB100N04S4-H2-VB 商品编号 C7494436 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 2.263克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)150A 导通电阻(RDS(on))-
IPB100N04S4-H2由Infineon(英飞凌)设计生产,立创商城现货销售。IPB100N04S4-H2价格参考￥9.5。Infineon(英飞凌) IPB100N04S4-H2参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)):2.4mΩ@10V,100A;耗散功率(Pd):115W;阈值电
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 100A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 2.4 毫欧 @ 100A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 70µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 90nC @ 10V ...
型号STB270N4F3IPB100N04S4-H2 唯样编号D-STB270N4F3A-IPB100N04S4-H2 制造商STMicroelectronicsInfineon Technologies 供应商海外代购D唯样自营 分类功率MOSFET功率MOSFET 描述N-Channel 40 V 2 mO Surface Mount MDmesh II Power MosFet - D2PAK 数据表 ...