IPB100N04S2-04 特征描述 N 通道 - 增强模式 通过汽车 AEC 101 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装(无铅) 超低Rds(on) 100% 经过雪崩测试 优势 40V 时, RDS (on)为世界极低值 极高的冲击电流能力 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率...
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功率MOSFET IPB100N04S2-04 蜂窝通信基础设施, 电池管理系统、光伏行业 家居与楼宇自动化 价格 ¥ 1.50 ¥ 1.40 ¥ 1.30 起订数 1PCS起批 100PCS起批 1000PCS起批 发货地 广东东莞商品类型 电子元器件 、 实验器材/测试器材/开发工具 、 功率分析仪/功率计 ...
IPB100N04S2-04 IPP100N04S2-04 的OptiMOS 功率晶体管 特点 N沟道 - 增强型 汽车AEC Q101标准 MSL1高达260 ℃的峰值回流焊 175 ° C工作温度 绿色包装(无铅) 极低的RDS(ON) 100 %雪崩测试 产品概述 V DS R DS ( ON) ,最大 ( SMD版) ...
型号 IPB100N04S204ATMA4 IPB80N04S2-04 唯样编号 K-IPB100N04S204ATMA4 A-IPB80N04S2-04 制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies 供应商 Buerklin 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 数据表 IPBIPP100N04S2-04.pdf IPB80N04S2-04.pdf RoHs ...
品牌/型号:INFINEON/IPB100N04S2-04 类型:逻辑IC 批号:2010 供应商信息 公司地址深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房201栋305C室(仅限办公)统一社会信用代码91440300676654020B 组织机构代码67665402-0注册资本50万人民币 营业期限40433-12-11至无固定期限经营状态存续 ...
系列: OptiMOS™ FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 100A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 3 毫欧 @ 80A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 250µA ...
参数信息 品牌 BBK/步步高 颜色分类 IPB100N04S2L03ATMA2,IPB100N04S303ATMA1,IPB100N04S4H2ATMA1 图文详情 0 本店推荐 0002066135/0002066144/0002067104 ¥[1_7ij1w4tp#51#JycnJypwUnRQeitwlHQZcnlGqHGce1l3bXj8eER+gnJce/t7Un2Keyl6BmgmdFV8hXTpczw=] 0805J0100272JXT/0805J0100272KCR/0805J0100...
Type Designator: IPB100N04S2-04 Marking Code: PN0404 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Pdⓘ- Maximum Power Dissipation: 300 W |Vds|ⓘ- Maximum Drain-Source Voltage: 40 V |Vgs|ⓘ- Maximum Gate-Source Voltage: 20 V ...
IPB100N04S2-04 制造商:INFENION 批号:15+ 描述: PDF下载:暂无 购买、咨询产品请填写询价信息 询价型号*数量*批号封装品牌其它要求 请确认联系方式,3分钟内即可给您回复 公司名: *联系人: *电话: *邮箱: 微信:QQ: 库存:1,000(价格仅供参考) 数量单价合计...