型号 IPB120N04S4-02 数量 1888 类目 IPB 适用行业 机械设备 品名 芯片 品牌 VBSEMI 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上...
爱采购为您精选83条热销货源,为您提供IPB120N04S4-02优质商品、IPB120N04S4-02详情参数,IPB120N04S4-02厂家,实时价格,图片大全等
IPB120N04S4-02 特征描述 N 通道 - 增强模式 AEC 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保产品(符合 RoHS) 100% 经过雪崩测试 优势 40V 时, RDS (on)为世界极低值 极高的冲击电流能力 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率...
Sales Product Name IPB120N04S4-02 OPN Info IPB120N04S402ATMA1 Product Status active and preferred Infineon Package name PG-TO263-3 Standard Package name D2PAK Order online Buy online Completely lead free no Halogen free yes RoHS compliant yes Packing Size 1000 Packing Type TAPE & REEL...
IPB120N04S4-02,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:IPB120N04S4-02 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 产品应用分类:单端场效应管 点击此处查询IPB120N04S4-02的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
IPB120N04S4-02-VB 商品编号 C7428982 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 2.116克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)150A 导通电阻(RDS(on))-
爱企查为您提供上海旺松新能源科技有限公司Infineon英飞凌VBSEMI微碧IPB120N04S4-02集成电路处理器、控制器等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多IGBT模块、可控硅、二极管、整流桥、晶闸管、熔断器
IPB120N04S4-02由Infineon设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPB120N04S4-02 价格参考￥ 13.62312 。 Infineon IPB120N04S4-02 封装/规格: TO-263(D²Pak), IPB120N04S4-02。你可以下载 IPB120N04S4-02 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图...
爱企查为您提供IPB120N04S4-02 集成电路(IC) INFINEON 封装LFCSP 批次22+,深圳市拓午电子科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。集成电路;集成电路批发;集成电路行情报价;集成电路价格;集成电路底价;集成电路图片;集成电路厂家;集成电路生产厂家;集成电
包装: 带卷(TR) 系列: OptiMOS™ FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 120A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 1.8 毫欧 @ 100A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 110µA ...