III-氮化物半导体及其相关宽带隙半导体材料质量和器件设计依赖于材料生长的成熟技术以及材料组合形成的结构,这一过程为创建高性能、多样化的功能器件提供了极大的可能性。III-氮化物半导体及其相关宽带隙半导体凭借其优异的材料性能,也是下一代电力...
——III族氮化物宽禁带半导体的高效p型掺杂新途径研究 III族氮化物(又称GaN基 )宽禁带半导体是第三代半导体的典型代表,具有一系列优异性质,是继Si和GaAs之后最重要的半导体材料,对国家的产业升级、节能减排具有战略意义,同时它也是全球高...
可以得出结论,III族氮化物表现出的化学稳定性导致了传统湿法蚀刻剂的非常低的蚀刻速率。 光电化学湿法蚀刻 近的一项进展是光电化学(PEC)湿法刻蚀的演示,这导致GaN的刻蚀速率显著提高[44-53]。PEC工艺利用光生电子空穴对来增强电化学电池中发生的氧化和还原反应。n-氮化镓的蚀刻通过表面氧化进行,然后溶解在水溶液中。
AlN半导体：III族氮化物市场的新星在CS MANTECH Int’l Conference 2024上，来自Georgia Institute of Technology的专家团队，包括W. Alan Doolittle、Habib Ahmad、Christopher M. Matthews、Keisuke Motoki、Sangho Lee、Emily N. Marshall以及Amanda L. Tang，共同探讨了AlN半导体的前沿技术与市场潜力。该项目得到了海军...
第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要,因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这些材料发展起来的湿法刻蚀方法。提出了通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有...
专利摘要显示，本发明提出了一种III族氮化物半导体激光器外延结构，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述有源层和上波导层之间设置有贝塞尔光束调制层，所述贝塞尔光束调制层具有电子亲和能分布特性和压电极化系数分布特性，所述贝塞尔光束调制层的电子亲和能具有函数y1＝...
在现代光电子学和电子学中，III族氮化物宽禁带半导体III-nitride wide bandgap semiconductors是很有前景的新材料。鉴于在大晶格失配的异质衬底上，生长异质外延薄膜的质量不断提高，这种半导体材料的应用，有望取得了更大进展。但与块体单晶相比，材料质量仍有很大的提升空间。近日，北京大学人工微结构和介观物理国家重点...
1、诸如iii-n高电子迁移率晶体管(hemt)的iii族氮化物半导体器件通常由在衬底上以iii族极性取向(即,在[0 0 0 1]方向上)生长的iii-n材料结构形成。图1中示出示例iii族极性iii-n hemt器件100。在器件100中,iii-n层111、112和113在诸如硅(si)、碳化硅(sic)、蓝宝石或gan的合适衬底110上以iii族极性取向(即...
III 族氮化物, 主要包括GaN 、A lN 、InN (E g< 213V )、A lGaN 、Ga InN 、A l InN 和A lGa InN 等, 其禁带宽度覆盖了红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围. 在通常条件下, 它们以六方对称性的铅锌矿结构存在, 但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿结构存在. 两种结构的主要...
但传统上,AlN仅作为一种绝缘材料,并不能通过大量掺杂转变为半导体。近期,我们成功展示了分别采用Be和Si掺杂实现p型和n型AlN高效掺杂(载流子浓度超过1018cm-3),并基于此实现了AlN PN二极管的整流功能和6 V的开启电压。初步的晶体管结构表现出在VDS=10 V时n型器件的电流密度超过350 mA/mm,以及VDS=30 V时p型...