研究III族氮化物半导体材料非平衡态外延生长的动力学规律,特别是应力和极化对材料外延质量和缺陷控制的影响规律,建立微区应力成像系统,研究III族氮化物应力分布与外延结构、极性、组分分凝以及生长工艺的内在关联;探索大失配、强极化低维量子结构掺杂工程的物理规律;发展适用于高Al组分氮化物半导体的调制光谱技术和深紫外光...
III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 1 范围 本文件描述了用透射电子显微镜来进行III族氮化物半导体材料中位错成像的测试方法。 本文件适用于III族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错的成像测试,该III族氮化物半导体属于六 方晶系。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本...
近日,由浪潮华光参与制定的国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》经由国家市场监督管理总局(国家标准化管理委员会)正式发布,为III族氮化物半导体材料在微电子器件、光电子器件领域应用位错成像的测试提供了标准支撑。 《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》描述了用透射电子...
《III族氮化物半导体材料及其在光电和电子器件中的应用》作者:北京邮电大学出版社,出版社:2020年8月,ISBN:38.00。Ⅲ族氮化物材料是继第一代和第二代半导体材料后发展起来的第三代半导体的典型材料。它具有禁带宽度大且可调
1 III 族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials— Transmission electron microscopy 编 制 说 明(征求意见稿) 2 一、制定本标准的目的和意义 III 族氮化物半导体材料主要包括GaN,AlN, InN 以及上述三种材料的组合体系,如InGaN...
《GB/T 44558-2024 III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法》本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。 状态:即将实施
Ⅲ族氮化物半导体材料极化诱导掺杂研究 Ⅲ族氮化物(Al N,Ga N,In N及其合金)是近些年光电子学研究领域最重要的半导体材料之一,已广泛应用于照明,显示等方面.新兴的氮化物深紫外LED,Micro LED,高速LED在杀菌... 赵春雷 - 《吉林大学》 被引量: 0发表: 2023年 p型第III族氮化物半导体的制造方法 本发明涉及包含...
本文中总体上描述了III族氮化物材料,包括包含III族氮化物材料区域和含硅衬底的材料结构。某些实施例涉及氮化镓材料和包括氮化镓材料区域和含硅衬底的材料结构。 二、法律状态 法律状态公告日法律状态法律状态信息 2022-01-25 授权 授权 2018-08-24 实质审查的生效 实质审查的生效;IPC(主分类):H01L31/00;申请日:201609...
近日,由浪潮华光参与制定的国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》经由国家市场监督管理总局(国家标准化管理委员会)正式发布,为...查看全文 相关企业信息 公司名称:山东浪潮华光光电子股份有限公司 法人代表:闫宝华 注册资本:20870.3543万人民币 成立时间:2004-09-18 公司类型:股份有限公司(非...
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