2月20日上午,2023“科创中国”年度会议在京召开,一年一度的“科创中国”系列榜单在会上发布。祝贺中国有色金属学会推荐的华南理工大学“III族氮化物外延材料生长与器件制备”入选了“科创中国”先导技术榜(先进材料领域)。 技术介绍: III族...
第三族氮化物衬底是一种特殊的衬底材料,用于支撑和生长III族氮化物膜。与III族氮化物膜不同,第三族氮化物衬底的化学组成也不同。它可以是氧化物衬底,如蓝宝石衬底、莫来石衬底、尖晶石衬底等,也可以是金属衬底,如Mo衬底、W衬底、Cu-W衬...
专利摘要显示，本发明公开了一种大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法，利用功能层和支撑层的键合衬底，先在功能层正面生长多晶金刚石，然后去掉支撑层，在功能层背面生长III族氮化物外延材料，获得多晶金刚石与III族氮化物材料的异质集成结构。III族氮化物、功能层、多晶金刚石三者之间是直接生长成键连接，确保...
项目名称:全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用首席科学家:沈波 北京大学起止年限:2012.1-2016.8依托部门:教育部 中国科学院一、关键科学问题及研究内容 关键科学问题及其科学内涵:根据本项…
《III族氮化物半导体材料及其在光电和电子器件中的应用》作者:北京邮电大学出版社,出版社:2020年8月,ISBN:38.00。Ⅲ族氮化物材料是继第一代和第二代半导体材料后发展起来的第三代半导体的典型材料。它具有禁带宽度大且可调
氮化物晶体管的优势III族氮化物材料,如氮化镓(GaN)和氮化铝(AlN),凭借其优越的电子特性,正在成为下一代高效电子器件的核心材料。这些材料具备高电子迁移率和宽禁带特性,使得氮化物晶体管在高频、高功率的应用场景中表现出色。与传统硅基器件相比,氮化物器件在热管理、功率密度和转换效率等方面有着显著的提升。
III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 1 范围 本文件描述了用透射电子显微镜来进行III族氮化物半导体材料中位错成像的测试方法。 本文件适用于III族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错的成像测试,该III族氮化物半导体属于六 方晶系。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本...
近日,由浪潮华光参与制定的国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》经由国家市场监督管理总局(国家标准化管理委员会)正式发布,为III族氮化物半导体材料在微电子器件、光电子器件领域应用位错成像的测试提供了标准支撑。 《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》描述了用透射电子...
本文中总体上描述了III族氮化物材料,包括包含III族氮化物材料区域和含硅衬底的材料结构。某些实施例涉及氮化镓材料和包括氮化镓材料区域和含硅衬底的材料结构。 二、法律状态 法律状态公告日法律状态法律状态信息 2022-01-25 授权 授权 2018-08-24 实质审查的生效 实质审查的生效;IPC(主分类):H01L31/00;申请日:201609...