根据第一性原理计算,他们在III-V族氮化物的嵌入式图像N-终端表面上发现了前所未有的PMA铁薄膜生长,对称保护的x2-y2和xy轨道之间的简并性及其自旋轨道耦合的升力起主导作用。
据麦姆斯咨询资料显示,过去25年来,III-V族氮化物半导体家族吸引了广泛的研究关注,因而该领域的专利活动非常活跃,在过去十年间专利申请量获得了大幅增长。自上世纪90年代早期以来,全球共公开了超过8万件与III-V族氮化物技术相关的授权专利和专利申请。据国际著名市场研究公司Yole Développement预测,2016年的全球GaN市场规模...
1.一种带空腔的III-V族氮化物复合衬底的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:1)在衬底上首先预生长一层III-V族氮化物,形成III-V族氮化物薄膜层,然后沉积一层掩膜层;2)利用第一光刻模板,采用光刻工艺,在掩膜层上形成图形化结构;3)刻蚀掩膜层开口区域的III-V族氮化物至衬底的表面,在III-V族氮化物薄膜...
特殊设计的III族氮化物衬底是一种新型的衬底设计,其III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽。这种设计的主要优点在于,它只去除晶格损伤,而不特别关注是否去除划痕。测试结果表明,与现有技术中采用无划痕衬底相比,这种设计可以获得相同质量的...
本发明公开了一种III-V族氮化物的外延结构及其生长方法,包括步骤:提供一图形化衬底;在所述图形化衬底上生长AlN缓冲层的底层结构,其生长过程从图形化衬底的底部逐渐覆盖至图形化衬底的顶部,使得底层结构上表面趋于平整,由于二维侧向生长,可以使部分位错弯曲,在侧向外延的同时,AlN缓冲层较难在图形化衬底的侧面进行成核和...
III-V 族纳米线和量子点在下一代电子和光电器件的发展中也获得了突出地位,这些纳米级结构表现出量子限制效应,为针对特定应用定制 III-V 族半导体的特性提供了机会。 2022 年,密歇根大学的一组研究人员报告了铁电 III-V 半导体的突破。米泽田教授领导的团队通过巧妙的方法,成功地为 III 族氮化物材料赋予了「铁电性...
摘要 本发明提供一种III‑V族氮化物生长用复合衬底、器件结构及制备方法,所述III‑V族氮化物生长用复合衬底的制备方法包括以下步骤:1)提供生长衬底;2)在所述生长衬底表面形成氮化物缓冲层;3)在所述氮化物缓冲层表面形成半导体介质层;4)在所述半导体介质层内形成通孔,以将所述半导体介质层分为若干个生长区域。本...
一种包括δ掺杂层(24)和/或掺杂超晶格的Ⅲ-Ⅴ族氮化物微电子器件结构。描述了一种δ掺杂方法,其包括步骤:通过第一外延膜生长过程在基片上沉积半导体材料;终止在基片上沉积半导体材料以给出外延膜表面;在外延膜表面上对半导体材料进行δ掺杂,以在其上形成δ掺杂层;终止δ掺杂;在第二外延膜生长过程中,重新开始半导体...
AlN半导体：一个迅速崛起的III族氮化物市场新势力 AlN半导体：III族氮化物市场的新星在CS MANTECH Int’l Conference 2024上，来自Georgia Institute of Technology的专家团队，包括W. Alan Doolittle、Habib Ahmad、Christopher M. Matthews、Keisuke Motoki、Sangho Lee、Emily N. Marshall以及Amanda L. Tang，共同探讨了...